类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：14A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.044Ω（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：70W
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

2N5548 具有以下显著特性：
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体效率，这在电源转换和电机控制应用中尤为重要。
　　其次，该器件具备较高的电流承载能力，能够在连续工作条件下承受高达 14A 的漏极电流，适用于中高功率开关电路。
　　此外，2N5548 的封装形式为 TO-220，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以增强热管理能力。
　　该 MOSFET 的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，这意味着它可以轻松与常见的数字控制器（如微控制器或 PWM 控制器）配合使用，实现高效的开关控制。
　　最后，2N5548 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，其最高工作温度可达 175°C，这使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。

2N5548 主要应用于以下领域：
　　在开关电源（SMPS）中，2N5548 常用于同步整流、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源效率并减少发热。
　　在电机控制领域，该器件可用于直流电机的 H 桥驱动或步进电机控制电路中，提供高效的开关性能和可靠的负载切换能力。
　　此外，2N5548 还广泛应用于逆变器系统中，例如太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和电动车驱动系统，其高耐压和大电流特性使其成为这些高功率应用的理想选择。
　　其他应用包括 LED 驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和工业自动化设备中的功率控制电路。

IRFZ44N, FDP55N06, STP16NF06, 2N6764