类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：10A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　功率耗散：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2N5532具有低导通电阻的特性，这意味着在导通状态下，其漏极与源极之间的压降较小，从而减少了功率损耗并提高了效率。此外，该器件具有较高的开关速度，能够在高频环境下稳定工作，适用于开关电源和DC-DC转换器等需要快速开关的场合。其高栅极阈值电压（通常在2V至4V之间）也使其在抗噪性能方面表现良好，不易因噪声干扰而误触发。2N5532还具备良好的热稳定性和较高的耐用性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。同时，其TO-220封装形式提供了良好的散热能力，有助于维持器件的长期稳定性。
　　该MOSFET还具有较低的输入电容和输出电容，这有助于减少开关过程中的电容充放电损耗，提高整体效率。此外，它具有较高的雪崩能量承受能力，可以在短时间过压或瞬态电压下保持稳定，防止损坏。这些特性使得2N5532非常适合用于高可靠性要求的电源管理应用。

2N5532广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、功率放大器以及电池管理系统中。在开关电源中，它用于高频开关操作，提高能效并减小电源体积。在电机控制应用中，2N5532可作为H桥电路的一部分，实现对直流电机的速度和方向控制。此外，它还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。

IRF540N, FQP10N20, STP10NK50Z