时间：2025/9/2 21:48:57
阅读：22
2N5530 是一款常用的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管，广泛应用于射频（RF）和高频放大电路中。该晶体管设计用于高频工作，具有良好的增益特性和频率响应，适用于无线通信、射频模块和低噪声放大器（LNA）等应用场景。
类型：NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：150mA
最大功率耗散（PD）：300mW
最大工作频率（fT）：100MHz
增益带宽积（fT）：100MHz
封装形式：TO-92
2N5530 晶体管具有优异的高频响应特性，适用于100MHz以内的射频放大应用。其NPN结构设计使得其在低电压供电条件下也能保持较高的放大增益，适合用作前置放大器或中频放大器。此外，该器件的封装形式（TO-92）具有良好的散热性能，适用于各种通用电子电路设计。
该晶体管的增益（hFE）在不同工作电流下可保持相对稳定，通常在100至800之间变化，具体取决于工作条件。其低噪声系数也使其成为低噪声放大器设计中的优选器件。此外，2N5530在高温环境下仍能保持良好的工作稳定性，适用于工业级和商业级应用场合。
2N5530 常用于射频放大器、中频放大器、低噪声放大器、无线通信模块、音频前置放大器以及各种需要高频增益的电子电路中。其在无线数据传输、FM接收器、RFID系统和小型信号放大电路中尤为常见。
2N3904, 2N2222, BC547, BF199
