类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：连续：10A（最大）
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.65Ω（当VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N5478具有以下几个显著特性：
　　首先，它的漏源电压高达500V，使其适用于高电压应用，如电源转换器和电机驱动器。
　　其次，该器件的最大漏极电流为10A，能够在较高负载下稳定工作，适用于多种功率开关场景。
　　2N5478的导通电阻较低，典型值为0.65Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，它采用TO-220封装，具有良好的散热能力，确保在高功率工作下的稳定性与可靠性。
　　该MOSFET还具有较高的输入阻抗和快速开关特性，能够有效减少驱动电路的负担，并提升整体系统响应速度。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持+10V至+15V之间的驱动电压，适应多种驱动电路设计需求。
　　总体而言，2N5478是一款性能稳定、适用范围广泛的功率MOSFET，适合各种中高功率电子系统。

2N5478主要应用于以下领域：
　　在开关电源中，用于DC-DC转换器或AC-DC电源模块中的功率开关元件，实现高效率的能量转换。
　　在电机控制电路中，作为H桥的上桥或下桥开关，控制直流电机的转速和方向。
　　在逆变器系统中，用于构建功率级电路，将直流电转换为交流电，常用于UPS或太阳能逆变系统中。
　　此外，该器件也适用于LED驱动、电池充电器和电子负载等功率控制场合。
　　由于其良好的耐压和导通特性，2N5478还被广泛用于工业自动化控制设备和电源管理系统中。

IRF840, 2N6755, FQA10N50, STP10NK50Z