类型：N沟道JFET
　　封装类型：TO-92
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大漏极电流（Id）：10mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻（Rds(on))：约100Ω
　　截止频率：25MHz
　　输入电容：5pF
　　输出电容：3pF

2N5458RLRF的核心特性在于其作为JFET器件的优异性能，特别是在低噪声放大和模拟信号处理方面的表现。该器件具有良好的线性度，使得它适用于模拟开关和可变电阻电路。此外，2N5458RLRF的输入阻抗非常高，可以有效地隔离信号源与后续电路，减少信号干扰。
　　该器件的栅极采用反向偏置方式，能够有效控制漏极和源极之间的导通状态。其低噪声系数（NF）在1kHz条件下通常低于3dB，适合用于前置放大器设计。此外，2N5458RLRF在高频应用中表现良好，截止频率可达25MHz，适用于中高频信号处理。
　　该JFET的导通电阻约为100Ω，确保在导通状态下能够提供稳定的电流通道。同时，其输入和输出电容分别为5pF和3pF，有助于减少高频信号的衰减。由于其封装为TO-92，散热性能良好，能够在较宽的温度范围内稳定工作，从-55°C到+150°C。

2N5458RLRF广泛应用于低噪声前置放大器、音频信号处理电路、模拟开关和可变电阻电路。由于其高输入阻抗和低噪声特性，该器件常用于高精度信号放大和测量设备。此外，它也适用于射频信号处理电路，如调谐器和接收器中的信号调节部分。
　　在音频电路中，2N5458RLRF可用于构建低噪声前置放大器，以增强微弱信号而不引入过多噪声。在模拟开关应用中，它可以作为控制信号通断的元件，特别适用于多路复用器和信号路由电路。另外，由于其良好的线性度，2N5458RLRF也常用于可变电阻器设计，提供可调节的电阻特性。

J201, 2N5457, BF245C