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2N5434 发布时间 时间:2025/7/22 8:56:41 查看 阅读:5

2N5434 是一款经典的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛用于功率放大器、电源管理和开关电路中。该器件采用TO-206封装(通常为金属罐封装),具有良好的热稳定性和较高的耐压能力,适用于中等功率的电子设备中。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):2.5A
  功耗(PD):30W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-206(金属罐)

特性

2N5434 具有以下几个显著的特性:
  首先,其高耐压能力(100V漏源电压)使其在中高电压应用中表现出色,如电源开关、DC-DC转换器和马达控制电路。
  其次,该MOSFET具备良好的导通电阻特性,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
  再者,金属罐封装(TO-206)不仅提供了良好的散热性能,还能增强器件在高频和高功率环境下的稳定性。
  此外,2N5434的栅极驱动电压范围较宽(±20V),增强了其在不同控制电路中的兼容性。
  最后,该器件具备良好的热保护性能,能够在高温环境下稳定工作,提高系统的可靠性。

应用

2N5434 常用于以下类型的电子电路和系统中:
  1. 电源管理电路:如开关电源、DC-DC变换器和电池充电器,因其高耐压和良好的导通特性,能够有效提高电源转换效率。
  2. 功率放大器:在音频放大器和射频功率放大器中,2N5434可作为输出级开关元件,提供较高的输出功率和稳定性。
  3. 电机驱动和控制:在直流电机控制电路中,该MOSFET可作为高效的开关元件,控制电机的启停和转速。
  4. 工业自动化设备:如PLC、变频器和伺服驱动器中,用于实现对执行机构的精确控制。
  5. 电子负载和测试设备:用于电子负载、电源测试仪等设备中,提供稳定的开关性能。

替代型号

IRF510, 2N6756, BUZ11, FDPF5N50

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2N5434参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)30 mA
  • 闸/源击穿电压- 25 V
  • 配置Single
  • 安装风格Stud
  • 封装 / 箱体TO-52
  • 封装Bulk
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.017 S
  • 闸/源截止电压- 4 V
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)10 Ohms
  • 工厂包装数量200