类型：PNP晶体管
　　封装形式：TO-92
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：5mA
　　最大功耗：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：典型值80（范围50-300，根据具体分档）
　　噪声系数：约3dB（典型值，1kHz）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N5391晶体管具有良好的高频响应能力，过渡频率（fT）可达100MHz，使其适用于射频和中频放大电路。其噪声系数较低，通常在3dB左右，适合用于对噪声敏感的前置放大器应用。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，典型值为80，根据不同的生产批次和分档，增益值可以在50到300之间变化，因此在实际使用中可能需要根据具体电路需求进行筛选或匹配。此外，2N5391具有较高的集电极-发射极击穿电压（30V），能够在相对较高的电压条件下稳定工作，提高了其在不同应用场景中的可靠性。
　　这款晶体管的封装形式为TO-92，体积小巧，便于在电路板上安装和布线。同时，其最大功耗为300mW，允许在一定的负载条件下运行，而不会造成过热问题。2N5391的热阻较低，有助于提高其在高频工作状态下的热稳定性。此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具有良好的环境适应能力，可在各种工业和消费类电子产品中使用。

2N5391晶体管广泛应用于高频电子电路中，特别是在射频（RF）和中频（IF）放大器中。它常用于无线通信设备中的信号放大模块，如调幅（AM）和调频（FM）收音机的前置放大器、射频混频器以及振荡器电路。此外，2N5391也适用于音频放大器的前置级设计，尤其是在需要低噪声和高增益的音频信号处理应用中。由于其良好的高频特性和稳定性，该晶体管还被用于测试仪器、传感器接口电路以及各种消费类电子产品的信号处理模块。

2N3906, BC557, BC639, 2N4125