时间：2025/9/2 15:50:10
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2N5262S是一种PNP型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中。该晶体管采用TO-105金属封装，具有良好的高频特性和稳定性，适用于通信设备、广播接收器以及其他需要高频放大的电子系统。2N5262S通常用于替代早期的2N5262型号，具有更高的可靠性和一致性。
类型：PNP晶体管
封装形式：TO-105金属封装
最大集电极电流（IC）：100mA
最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
最大集电极-基极电压（VCB）：30V
最大功耗（PD）：300mW
最大工作温度：150°C
过渡频率（fT）：100MHz（典型值）
电流增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：在IC=2mA时，典型值为110（不同档位有差异）
噪声系数：约2dB（典型值，1kHz）
2N5262S具有优异的高频放大性能，适用于中频和射频信号放大。其低噪声系数使其在接收机前端电路中表现良好，能够有效放大微弱信号而不引入过多噪声。
该晶体管的电流增益在较宽频率范围内保持稳定，适合用于多级放大器设计。此外，其金属封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，增强了器件在高频应用中的可靠性。
2N5262S的电气特性在宽温度范围内保持稳定，适合用于工业级和通信级设备。其参数一致性较好，便于批量生产中的电路匹配和调试。
2N5262S广泛应用于通信接收设备中的中频放大器、射频前置放大器、混频器以及低噪声放大电路。由于其良好的高频特性和低噪声表现，该晶体管常用于AM/FM收音机、电视调谐器、无线通信模块和测试仪器中的信号放大环节。
2N5262, 2N3906, BC557
