型号：2N50L-TF3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：50 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：100 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V 至 3.0 V
　　导通电阻RDS(on)：根据不同VGS条件典型值为1.8 mΩ至2.5 mΩ
　　输入电容（Ciss）：典型值约为4000 pF
　　输出电容（Coss）：典型值约为1200 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值约15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277A (DPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　极性：增强型
　　功耗（PD）：约160 W（带散热板）

2N50L-TF3-T采用高性能沟槽式MOSFET结构，具有极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = 10 V时可低至1.8 mΩ左右，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。这一特性特别适用于大电流应用场景，如大功率DC-DC变换器、同步整流电路以及电池管理系统中的主开关元件。器件的低RDS(on)与其高达50 A的连续漏极电流能力相结合，使其能够在高负载条件下稳定运行。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，其栅极电荷Qg较低，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗。同时，其米勒电容（Crss）较小，有效抑制了高频开关过程中可能出现的寄生导通现象，提升了系统的稳定性与可靠性。这些特性使2N50L-TF3-T非常适合用于高频开关电源、PWM电机驱动以及逆变器等对效率和响应速度要求较高的场合。
　　在热性能方面，TO-277A封装提供了优良的热传导路径，能够将芯片产生的热量高效传递至PCB上的散热焊盘，确保器件在高功率密度环境下仍能维持安全的工作温度。其最大结温可达+175°C，表明其具备出色的耐高温能力，可在严苛的工业环境中长期可靠运行。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时承受一定的能量冲击而不损坏，进一步增强了系统的鲁棒性。
　　2N50L-TF3-T符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持环保生产工艺。其表面贴装封装便于自动化贴片生产，适用于大规模SMT组装流程，有助于提高生产效率并降低成本。综合来看，这款MOSFET凭借其低损耗、高电流承载能力和可靠的封装设计，成为中高端功率电子应用的理想选择之一。

2N50L-TF3-T广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效率和高电流处理能力的场合。常见应用包括大功率DC-DC转换器，特别是在服务器电源、电信设备电源模块中作为同步整流管或主开关使用；在电机驱动领域，可用于H桥电路中的上下桥臂开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制；在电池供电系统中，如电动工具、无人机和便携式储能设备中，该器件可用于电池保护电路或充放电控制开关，提供低损耗的通路管理。
　　此外，2N50L-TF3-T也适用于逆变器系统，例如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的功率级切换元件，其快速开关能力和低导通电阻有助于提升逆变效率并减少发热。在工业自动化控制系统中，它可用于固态继电器（SSR）或电磁阀驱动电路，替代传统机械继电器，实现更长寿命和更高可靠性。同时，由于其表面贴装封装和良好的热性能，该器件也适合用于紧凑型电源适配器、LED驱动电源以及汽车电子辅助电源系统等对空间和散热有严格要求的设计中。总的来说，凡涉及中高压、大电流、高频开关的应用场景，2N50L-TF3-T均能提供稳定且高效的性能表现。

SiHF50N60E-TF3
　　IRF50N60A
　　FQP50N60
　　STP50N60ZFP