类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-223
　　漏源电压VDS：500V
　　连续漏极电流ID：1.5A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：6A
　　栅源电压VGS：±30V
　　导通电阻RDS(on)：典型值5.5Ω（@ VGS=10V, ID=500mA）
　　栅极阈值电压VGS(th)：2V～4V（@ ID=250μA）
　　输入电容Ciss：典型值350pF（@ VDS=25V）
　　输出电容Coss：典型值80pF
　　反向恢复时间trr：典型值55ns
　　功耗PD：1.5W（TC=25°C）
　　工作结温范围TJ：-55°C～+150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C～+150°C

2N50G-TN3-R具备出色的电气性能和热稳定性，其最大漏源击穿电压高达500V，能够胜任高压开关应用的需求，例如开关电源、DC-DC转换器和LED驱动电路。该器件的低导通电阻RDS(on)有效减少了导通状态下的功率损耗，从而提升系统效率并降低散热需求。在动态性能方面，其较低的输入和输出电容使得开关速度较快，减小了开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频开关环境。此外，较短的反向恢复时间trr有助于减少体二极管在关断时的反向恢复电荷，降低电磁干扰（EMI）风险，提高系统可靠性。
　　该MOSFET采用SOT-223小型化封装，具有良好的散热能力，通过底部散热片可将热量高效传导至PCB，增强了功率处理能力。尽管其额定电流为1.5A，但在良好散热条件下仍可支持短暂的过载运行。器件的栅极驱动电压范围宽，通常在10V至15V之间可实现完全导通，同时其栅极阈值电压较低，可在微控制器或驱动IC直接控制下正常工作，无需额外的电平转换电路。此外，2N50G-TN3-R具备良好的抗雪崩能力和抗静电能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定，适用于工业控制、消费电子和照明系统等多种严苛工作环境。其无铅和符合RoHS的设计也满足当前环保法规要求，适合出口型产品和高可靠性应用场景。

2N50G-TN3-R广泛应用于各类中低功率开关电路中，常见于开关电源（SMPS）中的初级侧或次级侧开关元件，尤其在反激式和降压式拓扑结构中表现优异。在LED照明驱动方案中，该器件可用于恒流控制或PWM调光开关，提供高效的能量转换。此外，它也被用于直流电机控制、继电器驱动、电池管理系统以及各类电源适配器和充电器中。由于其高耐压特性和良好的热性能，该MOSFET还适用于工业自动化设备中的固态继电器模块和负载开关设计。在消费类电子产品如电视、路由器和智能家居设备的电源模块中，2N50G-TN3-R因其小尺寸和高可靠性而被广泛采用。其表面贴装封装形式也使其成为自动化生产线的理想选择，适用于大规模量产。