型号：2N50G-TM3-T
　　制造商：ON Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大漏极电流（ID）：7 A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.68 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V 至 4.0 V
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223
　　引脚数：4
　　栅源击穿电压（VGS）：±30 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 450 pF @ VDS = 25 V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 45 ns

2N50G-TM3-T的特性体现在其出色的电气性能与结构设计的优化结合上，使其成为中等功率开关应用的理想选择。
　　首先，该MOSFET具备高达500V的最大漏源电压（VDS），使其能够承受较高的电压应力，适用于离线式开关电源、AC-DC转换器以及其他高压直流系统。同时，其最大连续漏极电流可达7A，在适当的散热条件下可长时间稳定运行，满足多数中小功率电源模块的需求。器件的低导通电阻（RDS(on)）典型值为0.68Ω（在VGS=10V时），这一参数显著降低了导通期间的能量损耗，提升了系统效率，减少了对额外冷却措施的依赖。
　　其次，2N50G-TM3-T采用了先进的平面栅极技术，增强了器件的可靠性和耐用性。其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或微处理器接口直接连接，无需复杂的电平转换电路。此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss约450pF），这有助于减少驱动电路的负载，提升开关速度，降低开关过程中的动态损耗，特别适合高频工作的应用场景。
　　再者，SOT-223封装不仅提供了良好的热传导路径，还支持表面贴装工艺，有利于自动化生产并节省PCB空间。该封装内置金属片连接漏极，可通过PCB上的大面积铜箔实现有效散热，进一步增强热稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在严苛的温度环境中正常工作，适用于工业控制、户外设备及车载电子等多种复杂工况。
　　最后，2N50G-TM3-T符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，体现了绿色环保的设计理念。同时，其高抗雪崩能力和优秀的dv/dt抑制能力提升了系统在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性，减少了意外失效的风险。综合来看，这些特性使2N50G-TM3-T在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡，成为众多工程师在设计中优先考虑的功率MOSFET之一。

2N50G-TM3-T的应用领域主要集中在需要中等功率开关能力的电力电子系统中。
　　在开关模式电源（SMPS）中，该器件常被用作主开关管，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，负责将输入的高压直流或整流后的交流电进行周期性通断，以实现能量向次级侧的传递。其500V的耐压能力和7A的持续电流能力足以应对大多数通用电源适配器、手机充电器、笔记本电脑电源等产品的设计需求。此外，在DC-DC转换器中，如升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中，2N50G-TM3-T也可作为功率开关元件，配合电感和二极管完成电压变换任务，尤其适用于输入电压较高但输出功率不大的场合。
　　在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于构建恒流源电路，通过脉宽调制（PWM）方式精确控制LED的亮度和电流，确保光源稳定发光并延长使用寿命。其快速的开关响应时间和较低的开关损耗有助于提升驱动效率，减少发热，这对密闭灯具尤为重要。
　　另外，2N50G-TM3-T也常见于电机控制电路中，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动模块中作为开关元件，实现电机的启停、正反转和调速功能。由于其具备较强的过载承受能力，能够在启动瞬间的大电流冲击下保持稳定工作。
　　在工业自动化设备、家用电器（如电磁炉、空气净化器、洗衣机）以及通信电源模块中，该器件同样发挥着重要作用。它还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或作为电子负载中的调节元件。总之，凭借其高耐压、良好热性能和可靠的开关特性，2N50G-TM3-T在多种电力变换与控制场景中展现出广泛的适用性。

STP5NK50ZFP
　　FQP5N50C
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