类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N5028A 具备良好的高温稳定性和耐用性，适合在高电压和高电流环境下工作。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用。
　　在结构上，2N5028A 使用硅基半导体材料，具有良好的热传导性能和可靠性。其TO-220封装设计便于安装和散热，适合用于各种功率模块和工业设备。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与标准的MOSFET驱动器兼容。同时，其内置的反向二极管可在某些应用中提供额外的保护功能，例如在电机驱动或感性负载切换中抑制反向电动势。
　　2N5028A 的电气特性在不同温度下保持相对稳定，能够在极端工作条件下维持性能。此外，其较高的漏源击穿电压（500V）使其适用于高压开关电源、照明系统以及工业控制设备。

2N5028A 常用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、照明驱动器以及工业自动化设备中的高压开关控制。此外，该器件也适用于逆变器、不间断电源（UPS）系统、电池管理系统（BMS）以及其他需要高电压、高电流开关能力的场合。在消费类电子产品中，如高功率LED照明、电风扇调速器、家用电器中的电机控制模块等，2N5028A 也能提供稳定可靠的性能。

2N5028, IRF840, IRF740