类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω
　　功率耗散：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2N4954的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在导通状态下能够保持较低的电压降，从而减少功率损耗并提高效率。该器件的高漏源击穿电压（500V）使其适用于高压应用，例如电源转换器和电机控制器。此外，2N4954的高电流承载能力（8A）允许它在高负载条件下可靠运行。
　　另一个重要的特性是它的热稳定性，这得益于其设计和封装形式（TO-220），能够有效地散热，从而在高功率操作时保持器件的稳定性和可靠性。栅源电压范围为±30V，这意味着它可以在较宽的控制电压范围内工作，同时具有较高的抗过压能力。
　　此外，2N4954的开关特性也非常优异，能够在高频条件下工作，适合用于开关电源和其他需要快速开关的应用。其快速开关特性可以减少开关损耗，提高系统的整体效率。

2N4954常用于电源管理领域，例如在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，以实现高效的能量转换。由于其高电压和高电流能力，它也适用于直流-直流转换器、电池充电器和逆变器等应用。
　　在工业控制领域，2N4954可以用于驱动电机和继电器，特别是在需要高可靠性和高效率的场合。例如，在自动化设备中，它可以作为功率开关来控制电机的运行。
　　此外，2N4954还广泛应用于消费类电子产品中，例如电视电源、音响放大器和LED照明驱动电路。在这些应用中，2N4954的高效率和低导通电阻特性能够显著提高设备的性能和寿命。

IRF840, IRF740, BUZ11