类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C

2N4930具有多项显著特性，使其在功率MOSFET中具有较高的性能和可靠性。
　　首先，其较低的导通电阻（RDS(on)）使得在高电流应用中能够减少功率损耗，提高能效。这使得2N4930非常适合用于高功率开关电路和电源管理模块。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电压等级的电路设计。栅源电压（VGS）为±20V，提供了较高的栅极控制灵活性，确保了器件在不同工作条件下的稳定性。
　　此外，2N4930的最大漏极电流为11A，能够满足大电流应用的需求。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还能提供良好的机械稳定性和热管理性能。
　　2N4930的功率耗散能力为60W，这使得其在高负载条件下仍能保持稳定的运行，不易过热。同时，其工作温度范围为-55°C至150°C，存储温度范围也为-55°C至150°C，显示出较强的环境适应性，适用于各种恶劣的工作环境。
　　最后，2N4930的开关速度较快，能够在高频应用中表现出色，适用于需要快速开关的电路设计，如DC-DC转换器、电机控制和照明系统等。

2N4930的应用领域广泛，涵盖了多个电子工程和自动化控制领域。
　　在电源管理方面，2N4930常用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，其低导通电阻和高电流承受能力能够有效提高电源转换效率，降低功耗。在工业控制系统中，该器件被广泛应用于电机驱动、继电器控制和负载开关电路，确保设备在高负载条件下的稳定运行。
　　在汽车电子领域，2N4930可用于车载电源管理系统、电动车窗控制、LED照明系统等应用场景。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应汽车运行环境中的温度波动和振动影响。
　　消费类电子产品中，2N4930也常用于电池充电管理、LED背光驱动和功率放大器等电路设计。其高效的能效管理能力有助于延长设备的电池续航时间，提升用户体验。
　　此外，在工业自动化和机器人控制中，2N4930可用于控制电机、执行器和传感器的电源开关，实现精确的功率控制和节能操作。

IRFZ44N, FDPF4N60, 2SK2647