2N4871A是一种NPN型高频晶体管,常用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管设计用于在高频环境下提供良好的性能,具有较低的噪声系数和较高的增益特性。它通常应用于通信设备、射频接收器和信号放大器等电子产品中。2N4871A采用了TO-18金属封装,这种封装提供了良好的散热性能和电磁屏蔽,适合在要求高稳定性和可靠性的电路中使用。
类型:NPN型晶体管
封装类型:TO-18
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):50mA
最大功耗(PD):125mW
最大工作频率(fT):250MHz
增益(hFE):110至800(根据不同的工作条件)
噪声系数:5dB(典型值)
最大集电极-基极电压(VCB):30V
最大发射极-基极电压(VEB):5V
2N4871A晶体管具有多项优异的电气特性,使其在高频应用中表现出色。首先,它的高增益特性(hFE)确保了在放大电路中可以实现较高的信号增益,适用于需要高灵敏度的射频接收器和中频放大器。其次,该晶体管的噪声系数较低,典型值为5dB,这使其非常适合用于低噪声放大电路,从而提高系统的信噪比。
此外,2N4871A的最大工作频率(fT)可达250MHz,这表明它能够在较高的频率下保持良好的放大性能,适用于高频信号处理和传输。TO-18封装不仅提供了良好的散热性能,还能有效减少外部电磁干扰,提高电路的稳定性。
该晶体管的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间正常工作,适应了各种恶劣环境下的使用需求。同时,其最大功耗为125mW,确保在长时间运行过程中不会因过热而损坏。这些特性使得2N4871A成为射频和中频放大电路的理想选择。
2N4871A广泛应用于射频和中频放大电路中,尤其是在通信设备中。例如,在射频接收器中,它用于放大微弱的射频信号以供后续处理;在中频放大器中,它用于提高中频信号的强度,以确保信号的清晰度和稳定性。此外,2N4871A还可用于音频放大器、信号发生器以及各种低噪声放大电路中,适用于需要高增益和低噪声性能的场合。
2N4871, 2N3904, 2N2222