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2N4427 发布时间 时间:2025/7/22 12:41:47 查看 阅读:8

2N4427 是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于高功率和高频率应用。该器件设计用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高电流和高电压能力的电路。2N4427 提供高耐压能力和良好的热稳定性,适用于工业和汽车电子应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):持续17A
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  存储温度范围:-55°C ~ +175°C
  导通电阻(Rds(on)):0.065Ω @ Vgs = 10V
  增益带宽:2MHz
  输入电容(Ciss):1100pF @ Vds=25V

特性

2N4427 MOSFET 具有优异的导通性能和低导通电阻,这使其在高功率应用中能够保持较低的功耗和较高的效率。其最大漏极-源极电压为100V,漏极电流可达17A,适合高电压和大电流的环境。该器件的栅极驱动电压为±20V,保证了良好的控制性能和稳定性。
  该MOSFET采用了先进的硅技术,具有良好的热管理和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其150W的功耗能力,使其在散热设计上具有较大的灵活性,可以通过散热片或风冷方式有效控制温度。
  此外,2N4427的快速开关特性使其适用于高频应用,如DC-DC转换器和逆变器。其1100pF的输入电容和2MHz的增益带宽,提供了良好的高频响应和稳定性,降低了开关损耗并提高了整体系统效率。
  该器件的封装形式通常为TO-220或TO-262,便于安装和散热。2N4427符合RoHS环保标准,适用于多种工业和汽车电子系统。

应用

2N4427 主要用于高功率和高频率的开关应用,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统。由于其良好的热稳定性和高耐压能力,2N4427也常用于汽车电子系统中的功率管理模块,如车载充电器和电动车辆的能量转换系统。此外,它还可用于音频放大器、电源供应器和测试设备中的功率控制部分。

替代型号

IRFZ44N, FDPF4427, STP17N10F7, IRLZ44N

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2N4427参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO20 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO2 V
  • 最大直流电集电极电流0.4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min10 at 100 mA at 5 V
  • 配置Single
  • 最大工作频率500 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-39
  • 封装Box
  • 集电极连续电流400 mA
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散1 W
  • 工厂包装数量500