2N4427 是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于高功率和高频率应用。该器件设计用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高电流和高电压能力的电路。2N4427 提供高耐压能力和良好的热稳定性,适用于工业和汽车电子应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):100V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):持续17A
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
存储温度范围:-55°C ~ +175°C
导通电阻(Rds(on)):0.065Ω @ Vgs = 10V
增益带宽:2MHz
输入电容(Ciss):1100pF @ Vds=25V
2N4427 MOSFET 具有优异的导通性能和低导通电阻,这使其在高功率应用中能够保持较低的功耗和较高的效率。其最大漏极-源极电压为100V,漏极电流可达17A,适合高电压和大电流的环境。该器件的栅极驱动电压为±20V,保证了良好的控制性能和稳定性。
该MOSFET采用了先进的硅技术,具有良好的热管理和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其150W的功耗能力,使其在散热设计上具有较大的灵活性,可以通过散热片或风冷方式有效控制温度。
此外,2N4427的快速开关特性使其适用于高频应用,如DC-DC转换器和逆变器。其1100pF的输入电容和2MHz的增益带宽,提供了良好的高频响应和稳定性,降低了开关损耗并提高了整体系统效率。
该器件的封装形式通常为TO-220或TO-262,便于安装和散热。2N4427符合RoHS环保标准,适用于多种工业和汽车电子系统。
2N4427 主要用于高功率和高频率的开关应用,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统。由于其良好的热稳定性和高耐压能力,2N4427也常用于汽车电子系统中的功率管理模块,如车载充电器和电动车辆的能量转换系统。此外,它还可用于音频放大器、电源供应器和测试设备中的功率控制部分。
IRFZ44N, FDPF4427, STP17N10F7, IRLZ44N