晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：10mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：100MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　噪声系数：2.5dB
　　封装类型：TO-92

2N4136晶体管具有优异的高频性能，能够在高达100MHz的频率下稳定工作，适用于射频和中频放大器的设计。其低噪声特性（噪声系数为2.5dB）使其在信号接收和处理电路中表现出色，能够有效减少信号干扰和失真。此外，该器件具有较高的增益带宽积（fT为100MHz），确保了在高频条件下仍能保持良好的放大性能。
　　该晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极-基极电压（VCBO）为50V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源条件下的电路设计。其最大集电极电流为10mA，功耗为300mW，能够在低功耗条件下保持稳定的工作状态，适合电池供电设备的应用。
　　2N4136采用TO-92封装形式，体积小巧，便于在紧凑的电路板布局中安装。其封装材料具有良好的热稳定性和机械强度，能够有效保护内部芯片免受外部环境的影响，提高器件的可靠性和使用寿命。

2N4136主要用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中，常见于无线通信设备、广播接收器、电视机和音频放大器等电子系统中。在通信设备中，该晶体管可用于射频信号的前置放大，提高信号的强度和稳定性。在广播接收器中，2N4136可作为中频放大器，增强信号的解析能力，提升音频质量。
　　此外，该晶体管还可用于低噪声放大器（LNA）的设计，特别适用于需要高灵敏度和低干扰的信号接收系统。在电视机中，2N4136可用于视频信号的放大和处理，确保图像的清晰度和稳定性。音频放大器中，该器件可用于前置放大电路，提高音频信号的质量和动态范围。
　　由于其良好的高频性能和低噪声特性，2N4136也适用于各种测试仪器和测量设备中，如频谱分析仪、信号发生器等，用于精确的信号处理和测量。

2N4135, 2N4137, 2N3904