晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗 (Ptot)：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　封装类型：TO-92
　　过渡频率 (fT)：100 MHz
　　电流增益带宽积 (fT)：100 MHz
　　电流增益 (hFE)：在 2 mA 时为 110 至 800，取决于等级
　　噪声系数 (NF)：通常为 3 dB 在 1 kHz
　　基极-发射极电压 (Vbe)：典型值为 0.65 V 至 0.85 V

2N3765JTX 是一款高频 NPN 晶体管，具有优异的低噪声性能，适合用于射频和音频放大电路。其高过渡频率（fT）达到 100 MHz，使其在高频放大器中表现良好。该晶体管的 hFE（电流增益）范围较宽，可根据不同应用选择合适的增益等级。此外，该器件的噪声系数较低，通常在 3 dB 左右，适用于对噪声敏感的前置放大器设计。
　　该晶体管的封装形式为 TO-92，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于通孔安装（Through Hole）和手工焊接。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，适用于中低功率的开关和放大应用。
　　由于其高频特性，2N3765JTX 常用于射频接收机、调频（FM）收音机、天线放大器以及数据通信设备中的信号放大环节。此外，其低噪声和高增益特性也使其在音频前置放大器、传感器信号调理电路中得到广泛应用。

2N3765JTX 主要应用于射频和音频放大电路，如 FM 收音机的中频放大器、天线前置放大器、射频接收器中的低噪声放大器（LNA）等。它也常用于数据通信设备中的信号增强电路，如调制解调器、无线局域网（WLAN）设备和遥控器接收电路。
　　在工业控制和消费电子产品中，2N3765JTX 也可用于低功率开关应用，如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制电路。由于其封装小巧，适合在空间受限的电路板中使用。此外，在传感器信号处理中，该晶体管可作为前置放大器使用，提高微弱信号的幅度，便于后续处理。
　　在射频领域，2N3765JTX 还可用于构建振荡器和混频器电路，作为本地振荡源或频率转换器件。

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222, BF199