晶体类型：NPN型晶体管
　　封装类型：TO-126
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　增益（hFE）：在1kHz下典型值为50-150
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N3762S具有良好的高频响应和较低的噪声系数，使其非常适合用于射频和中频放大器电路。其增益带宽积为250MHz，可以在较高的频率下保持稳定的增益性能。此外，该晶体管的封装形式为TO-126，具有良好的热管理和机械稳定性，能够在较为严酷的环境中工作。
　　该晶体管的hFE（电流增益）在1kHz频率下典型值为50-150，具有较好的放大能力。它的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，使得它能够在极端温度条件下稳定运行。
　　2N3762S还具有较低的输入和输出电容，有助于减少高频信号的失真，提高电路的响应速度。其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极电流为100mA，适合中功率放大应用。
　　由于其良好的频率响应和稳定的性能，2N3762S在设计高频放大器、振荡器和混频器等电路时是一个理想的选择。

2N3762S主要应用于射频和中频放大器电路中，例如在无线通信设备中的信号放大、工业控制系统的信号处理、音频放大器的前置放大等场景。此外，它也可以用于振荡器、混频器和调制解调器等高频电路的设计。
　　在通信设备中，2N3762S可以作为中频放大器，用于提高信号的强度，确保信号传输的稳定性。在音频放大器中，它通常用于前置放大级，以提供足够的信号增益，为后续的功率放大级提供良好的输入信号。
　　由于其良好的高频特性和稳定的性能，2N3762S也常用于测试设备和测量仪器中的信号放大电路。在工业控制系统中，它可以用于信号调理和放大，提高系统的响应速度和精度。
　　此外，2N3762S还可以用于射频振荡器的设计，提供稳定的高频信号源，满足各种电子系统对高频信号的需求。

2N3762S的替代型号包括2N3762、2N3762A、BC547、BC548、BC549