时间：2025/12/24 17:40:07
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2N3583是一款广泛使用的NPN型高频晶体管，主要用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中。该晶体管设计用于高性能的通信设备和类似应用，具有良好的高频响应和稳定性。它采用TO-72金属封装，适用于需要高可靠性和高性能的电子系统。
类型：NPN型晶体管
材料：硅（Si）
封装形式：TO-72金属封装
最大集电极电流（Ic）：10mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：15V
最大集电极-基极电压（Vcb）：20V
最大功耗（Ptot）：100mW
截止频率（fT）：100MHz
电流增益带宽积（hfe）：在100kHz时为110-800，根据不同档位有所变化
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N3583晶体管具有多项优良特性，使其在高频放大应用中表现出色。首先，其高截止频率（fT）达到100MHz，使它非常适合用于射频和中频放大器的设计。其次，该晶体管在不同工作条件下具有稳定的电流增益，其hfe值在100kHz下可达到110至800，根据不同的分档选择，可以满足不同电路设计的需求。
此外，2N3583采用TO-72金属封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在各种环境条件下使用。其低功耗特性（最大功耗为100mW）也使其在电池供电设备和低功耗系统中表现出色。该晶体管的高集电极-发射极和集电极-基极击穿电压确保了在较高电压条件下的可靠运行。
最后，2N3583在设计上保持了良好的互换性和兼容性，使其能够替代许多早期的高频晶体管型号，并在现代电子设备中得到广泛应用。
2N3583主要用于射频（RF）和中频（IF）放大电路，常见于通信设备、无线电接收机、电视调谐器、音频放大器的前置级以及各类测试仪器中。其高频性能和稳定性使其成为许多模拟电路设计中的首选晶体管之一。此外，它也常用于低噪声放大器（LNA）和小信号放大电路中，以提高系统的整体性能和信号质量。
2N2222, 2N3904, BF199, BF200
