类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：500V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220或TO-247

2N3504A具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其最大漏-源电压（VDS）为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。最大漏极电流为10A，足以支持中等功率级别的电流传输。
　　其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.45Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的最大功率耗散为75W，结合TO-220或TO-247封装的散热能力，能够在较高功率条件下稳定运行。
　　栅-源电压范围为±30V，允许较为宽泛的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。工作温度范围从-55°C至+150°C，表现出良好的温度适应性，适用于各种严苛的工作环境。
　　此外，2N3504A采用硅基工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性，适用于工业级和汽车电子系统中的关键功率控制任务。

2N3504A广泛应用于多个高功率和高频领域。
　　在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为主开关元件，负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。由于其低导通电阻和高耐压特性，可以显著提高电源转换效率并减少发热。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于直流电机的驱动电路，实现PWM调速控制。其高电流能力和快速开关特性有助于提高控制精度和响应速度。
　　此外，2N3504A还可用于逆变器、不间断电源（UPS）和功率放大器中，作为关键的功率放大或开关元件。其高可靠性和热稳定性确保了系统在高负载条件下的稳定运行。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高效功率控制的场合。

IRF840、2N6660、FDPF5N50、STP10NM50