晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-18（金属封装）
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2kHz时为40-150（具体值根据批次不同）
　　噪声系数：约2dB（典型值）

2N299A晶体管具有多项适用于高频应用的特性。其NPN结构确保了在小信号放大中的高效能，尤其是在射频和中频放大器中表现优异。该器件采用了金属封装（TO-18），提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于较为严苛的工作环境。
　　2N299A的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极和集电极-基极的击穿电压均为30V，使其能够承受较高的电压应力，确保在各种电路配置下的稳定性。最大功耗为300mW，适用于中低功率的高频放大电路。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在宽温度范围内工作，适用于军事和工业级应用。此外，其增益带宽积（fT）为100MHz，表明在高频条件下仍能提供有效的增益，适合用于射频前端放大器、中频放大器和混频器等电路。
　　噪声系数约为2dB，使其在低噪声放大器设计中具有一定的应用价值。电流增益（hFE）在2kHz时为40-150，具体值因批次不同而有所变化，但整体上提供了良好的信号放大能力。

2N299A晶体管主要应用于射频和中频放大电路中，常见于通信设备、无线接收器和发射器等高频系统中。由于其良好的高频响应和稳定性，该晶体管常用于射频前端放大器、中频放大器以及混频器电路中。
　　在通信系统中，2N299A可用于低噪声放大器设计，提高接收信号的强度并降低噪声影响。此外，在射频功率放大器的前级放大阶段，该晶体管也能提供稳定的增益，确保信号在后续放大阶段的完整性。
　　该晶体管也常用于测试设备、信号发生器和测量仪器中的高频放大电路，以确保设备在高频条件下的正常运行。此外，由于其金属封装（TO-18）的特性，2N299A也可用于需要良好散热性能的工业和军事级设备中。

2N3904, 2N2222, BF199