类型：PNP型晶体管
　　封装类型：TO-18金属封装
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：40-150（根据工作电流不同而变化）
　　噪声系数：约2dB（典型值）

2N2320A晶体管具有多个显著特性，使其在射频和中频应用中表现出色。首先，其高频响应能力使其适用于100MHz范围内的信号放大，适用于射频前端电路和中频放大器。其次，该晶体管的低噪声系数（约2dB）使其在接收器前端电路中特别有用，有助于保持信号的清晰度和信噪比。
　　此外，2N2320A采用TO-18金属封装，这种封装形式不仅提供了良好的机械稳定性，还具有优良的热传导性能，有助于在高频率工作时保持较低的工作温度。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围为40至150，具体数值取决于集电极电流的大小。这种可变的增益特性使其适用于多种放大电路设计，包括低噪声放大器、射频混频器和振荡器等。此外，2N2320A的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，使其在大多数低功率射频应用中都能安全稳定地工作。

2N2320A晶体管主要应用于射频和中频放大器电路，特别是在通信设备中。例如，在射频接收器中，它常用于前端放大器，用于放大微弱的射频信号以供后续处理。在射频发射器中，2N2320A可用于驱动功率放大器前级，提供足够的信号增益。
　　此外，该晶体管也广泛用于振荡器电路，如本地振荡器（LO）和射频信号发生器，提供稳定的高频信号输出。在混频器电路中，2N2320A可以用于将射频信号与本地振荡器信号混合，生成中频信号。
　　由于其低噪声系数和高频率响应特性，2N2320A也适用于测试设备和测量仪器中的高频信号处理模块。在工业控制和自动化系统中，该晶体管也可用于高频信号调理和放大。

2N2320, BF199, BF200