类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：1.5A
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5Ω（典型值）
　　最大功耗(Pd)：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-205

2N2304A MOSFET具备多项优良特性，使其适用于多种功率控制应用。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，器件的耐压能力较强，漏源击穿电压可达60V，适合中等电压应用。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，结合TO-205封装的良好散热性能，能够有效应对高功率运行时的热量积累。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，最大栅源电压为±20V，使得其可以兼容多种驱动电路。同时，2N2304A在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于工业级温度要求。其封装设计也便于安装在散热器上，以进一步提升散热效果，延长器件寿命。
　　此外，2N2304A的开关速度快，能够满足高频开关应用的需求，适用于DC-DC转换器、马达控制、继电器驱动、逆变器等电路。其结构设计也使其具有较低的寄生电容，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。

2N2304A MOSFET常用于电源管理、功率放大器、开关稳压器、DC-DC变换器、马达控制、继电器驱动、逆变器以及各种需要高效功率开关的电路。在工业自动化、消费电子产品、通信设备和汽车电子等领域均有广泛应用。例如，在电源适配器中，2N2304A可作为主开关器件用于实现高效能转换；在马达驱动电路中，可用于控制直流马达的启停和转速调节；在电池供电系统中，该器件可作为负载开关以提高能效并延长电池寿命。

2N2304, 2N2305, IRF510, BF245C