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2N2270 发布时间 时间:2025/7/22 8:55:06 查看 阅读:12

2N2270是一款NPN型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。该晶体管采用TO-18金属封装,具有良好的高频特性和稳定性,适用于通信设备、射频接收器、信号放大器等高频电子电路。

参数

类型:NPN晶体管
  封装形式:TO-18
  最大集电极-发射极电压(Vceo):30V
  最大集电极电流(Ic):50mA
  最大功耗(Ptot):125mW
  过渡频率(fT):250MHz
  集电极-基极击穿电压(Vcbo):75V
  工作温度范围:-65°C 至 +200°C

特性

2N2270以其出色的高频性能而著称,特别适用于需要高频率放大的场合。该晶体管的过渡频率(fT)高达250MHz,使其能够在射频和中频范围内有效工作。TO-18金属封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了器件的机械强度和环境适应性。
  此外,2N2270的电气特性非常稳定,能够在较宽的温度范围内保持良好的性能。其集电极-发射极电压(Vceo)为30V,集电极电流最大可达50mA,能够满足大多数中低功率放大电路的需求。该晶体管的低噪声特性使其在接收器前端放大电路中表现出色,提高了信号的清晰度和稳定性。
  2N2270的另一个显著优势是其较高的可靠性。TO-18封装结构坚固,能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行,适合工业和军事级应用。

应用

2N2270常用于射频和中频放大电路中,如通信设备中的信号放大器、射频接收器前端放大器、中频放大模块等。此外,它也适用于测试设备、无线电设备、电视接收器、频率合成器等高频电子系统中。由于其良好的高频特性和低噪声性能,2N2270在模拟电路设计中被广泛使用,特别是在需要高增益和高稳定性的场合。

替代型号

2N2271, BF199, BF200, 2N3904

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2N2270产品

2N2270参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO45 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO7 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min50
  • 配置Single
  • 最大工作频率100 MHz
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-39
  • 封装Box
  • 工厂包装数量500