晶体类型：NPN型
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：40V
　　发射极-基极电压（Vebo）：3V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-18金属封装
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：50-300（根据不同等级）

2N2106S晶体管具有优异的高频特性，其过渡频率（fT）高达100MHz，适用于射频和中频放大器的设计。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从50到300不等，能够适应不同应用需求。此外，TO-18金属封装提供了良好的热稳定性和机械强度，使其在恶劣环境下仍能保持稳定工作。
　　该晶体管的低噪声系数使其在低噪声放大器中表现优异，适合用于前置放大和信号增强电路。2N2106S的开关速度快，响应时间短，因此在数字开关电路和脉冲放大电路中也有广泛应用。
　　由于其良好的热稳定性和可靠的封装结构，2N2106S在长时间运行和高温环境下仍能保持性能稳定，具有较长的使用寿命。

2N2106S广泛应用于高频放大器、射频接收器、通信设备、放大电路、低噪声前置放大器以及各类开关电路中。在无线通信系统中，该晶体管可用于信号放大和调制解调电路，提供稳定的高频响应。在音频设备中，它可用于前置放大器以提高信号质量和降低噪声。
　　此外，2N2106S还常用于工业控制系统的信号处理模块，如传感器信号放大、逻辑电平转换和驱动小型继电器或LED指示灯等。由于其低功耗和高稳定性，该晶体管也适用于便携式电子设备和电池供电系统中的放大和开关控制电路。

2N3904, 2N2222A, BC547, PN2222A