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2N1990W 发布时间 时间:2025/9/2 14:35:37 查看 阅读:10

2N1990W 是一款常用的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于射频(RF)和低噪声放大器电路中。这款晶体管具有良好的高频特性和低噪声系数,适用于通信设备、射频接收器和各种高频放大电路。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流:50 mA
  最大集电极-发射极电压:25 V
  最大基极电流:5 mA
  最大功耗:300 mW
  增益带宽积:100 MHz
  噪声系数:1.5 dB
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

2N1990W 晶体管具有优异的高频性能,使其非常适合用于射频放大应用。该器件的低噪声系数(1.5 dB)使其成为低噪声前置放大器的理想选择。此外,2N1990W 具有较高的增益带宽积(100 MHz),可以在较高的频率下提供稳定的放大性能。晶体管的封装形式通常为 TO-92 或 SOT-23,便于在各种电路板上安装。
  该晶体管的增益(hFE)在不同工作电流下表现良好,能够在低电流下维持较高的放大倍数。其最大集电极电流为 50 mA,最大集电极-发射极电压为 25 V,适合中等功率的射频应用。此外,2N1990W 的工作温度范围较宽,为 -55°C 至 150°C,确保其在各种环境条件下都能稳定工作。其封装形式还提供了良好的热稳定性和机械强度,适合长期运行和高可靠性要求的应用场景。

应用

2N1990W 主要用于射频放大器、低噪声前置放大器、通信接收设备、无线局域网(WLAN)模块、射频测试设备以及各类高频信号处理电路。由于其良好的高频特性和低噪声系数,该晶体管常被用于设计射频前端放大器,以提高接收信号的灵敏度和质量。此外,它也适用于振荡器和混频器等射频电路的设计。

替代型号

2N3904, 2N4401, BF199, BC547

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