类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：625mW
　　直流电流增益（hFE）：50 - 250（典型值）
　　过渡频率（fT）：50MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-39

2N1912的核心特性之一是其PNP型结构，使其能够在负偏置条件下有效地控制电流流动。该晶体管的电流增益（hFE）在不同工作点下表现出良好的线性度，典型值介于50到250之间，这使得它既可用于小信号放大，也可用于驱动负载较小的开关电路。其较高的过渡频率（fT = 50MHz）表明该器件在高频应用中仍能保持较好的增益性能，适用于中频放大器和射频前端电路。相较于低频晶体管，2N1912能够在更宽的频率范围内维持稳定的放大能力，从而提升系统的动态响应。
　　另一个关键特性是其热稳定性。由于采用TO-39金属封装，2N1912具备优异的散热能力，能够在较高功率密度下长时间运行而不会发生热失控。该封装还提供了良好的机械保护和电磁屏蔽效果，减少了外部干扰对内部半导体结构的影响。此外，TO-39封装便于安装在散热片上，进一步增强了其在持续导通状态下的可靠性。
　　2N1912的电气参数经过严格筛选，确保在极端温度条件下仍能保持一致的性能表现。其工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了大多数工业、军事和汽车级应用场景的需求。这种宽温适应性得益于高质量的硅晶圆材料和先进的掺杂工艺，有效抑制了漏电流的增长并提升了载流子迁移效率。
　　此外，该器件具备较高的击穿电压（VCEO = 80V），允许其在较高电压电源系统中安全运行，例如12V、24V甚至48V的直流控制系统。同时，其最大集电极电流为200mA，足以驱动继电器、LED阵列或小型电机等常见负载。综合来看，2N1912在增益、频率响应、热管理和电压耐受方面实现了良好平衡，是一款可靠且多用途的通用晶体管。

2N1912广泛应用于各类电子系统中，尤其适合需要PNP型晶体管进行信号放大或开关控制的场景。在音频放大电路中，它常被用作前置放大级或驱动级，利用其较高的电流增益和较低的噪声特性来增强微弱信号。由于其过渡频率达到50MHz，该器件也可用于中频放大器，如调幅/调频收音机中的中放模块，能够有效放大载波信号而不引入显著失真。
　　在数字逻辑和开关电源设计中，2N1912可作为电平转换器或驱动晶体管，控制继电器、指示灯或其他外围设备的通断。其80V的耐压能力和200mA的输出电流使其适用于12V至48V的工业控制系统，例如PLC输入输出模块或电机控制器。在这些应用中，2N1912通常与其他NPN晶体管（如2N2222）配对使用，构成互补推挽输出级，实现高效的双向驱动能力。
　　此外，该晶体管也常见于电源稳压电路中，作为串联调整管或过流保护检测元件。在模拟电源设计中，2N1912可用于构建简单的线性稳压器，通过反馈回路调节输出电压。其良好的热稳定性和宽工作温度范围使其在高温环境下依然保持稳定输出。
　　教育和科研领域也是2N1912的重要应用方向。由于其参数明确、封装坚固且易于测量，许多高校和培训机构将其纳入基础电子课程实验套件中，用于讲解晶体管基本原理、共射极放大电路设计及开关特性测试等内容。此外，在原型开发和调试阶段，工程师常使用2N1912进行功能验证，因其供货充足且兼容性强，降低了设计风险。
　　在某些特殊应用中，如航空航天或军事通信设备中，2N1912因具备一定的抗辐射能力和长期可靠性而被选用。虽然现代设计更多采用表面贴装器件，但在需要高可靠性和可维修性的场合，TO-39封装的2N1912仍然具有不可替代的优势。

BC557, BC558, 2N2907, MPSA56