类型：PNP
　　材料：锗（Germanium）
　　封装形式：TO-5（金属壳）
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：2V
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大集电极功耗（PC）：125mW
　　直流电流增益（hFE）：30 ~ 120
　　过渡频率（fT）：约25MHz
　　工作结温范围：-55°C 至 +85°C

2N1910作为一款早期的锗合金晶体管，其最显著的特性在于采用了锗半导体材料，这使得它在导通时表现出比现代硅晶体管更低的基射极开启电压，通常仅为0.2V至0.3V左右。这一特点使其非常适合用于微弱信号的检波与前置放大，例如在老式收音机中的检波级或音频小信号放大环节。由于其低阈值电压，即使是非常微弱的输入信号也能有效驱动晶体管进入导通状态，从而提高系统的灵敏度。此外，该器件具备相对较高的电流放大系数（hFE），在典型工作条件下可达到30至120之间，能够在较小的基极电流下控制较大的集电极电流，适用于高增益放大电路设计。
　　另一个重要特性是其频率响应能力，2N1910的过渡频率（fT）约为25MHz，意味着它可以在高频段内保持一定的放大性能，适用于中波广播频段内的信号处理任务。虽然无法与现代高速晶体管相比，但在其设计年代已属先进水平。该器件采用TO-5金属封装，不仅提供了良好的机械强度，还具备较优的散热性能和电磁屏蔽效果，有助于减少外部干扰对信号的影响，提升电路稳定性。
　　然而，2N1910也存在明显的局限性。由于锗材料本身的物理特性，该晶体管具有较高的反向饱和电流（ICEO），并且该电流随温度上升迅速增加，导致热稳定性较差。在高温环境下容易出现漂移甚至热失控现象，限制了其在恶劣环境下的应用。同时，锗晶体管的老化速度较快，长期使用后电气参数可能发生显著变化，影响电路的一致性和可靠性。此外，由于生产工艺早已淘汰，目前市场上几乎无法获得原厂新品，多数为库存件或二手拆机件，品质难以保证。因此，尽管2N1910在历史上具有重要意义，但现代设计中已被更可靠的硅基器件全面替代。

2N1910主要用于上世纪中期的各类模拟电子设备中，特别是在早期的消费类电子产品如便携式收音机、音频放大器和通信接收机中扮演关键角色。由于其低开启电压和良好的小信号放大能力，常被用作AM收音机中的检波晶体管或第一级前置放大器，能够有效地从天线接收到的微弱高频信号中提取音频成分。在这些应用中，2N1910的高灵敏度和低噪声特性使其成为当时理想的选择之一。
　　此外，该晶体管也被广泛应用于各种低频放大电路中，包括电话线路放大器、麦克风前置放大器以及早期的助听器设备。在这些场景下，信号幅度通常非常微弱，要求放大元件具备极高的输入灵敏度和较高的电流增益，而2N1910正好满足这些条件。其PNP结构也便于与当时的电源配置相匹配，尤其适用于采用负电源供电或单电源负地系统的设备。
　　在工业控制领域，2N1910也曾用于简单的开关电路或继电器驱动模块中，利用其50mA的集电极电流能力实现对小型负载的通断控制。虽然其开关速度不如现代晶体管，但在低速逻辑和电源管理应用中仍可胜任。
　　如今，2N1910已不再用于主流电子产品设计，但由于其独特的电气特性和声音表现，仍在某些复古音响修复项目、电子乐器（如模拟合成器）复刻以及爱好者自制真空管风格放大器中被选用。部分音响发烧友认为锗晶体管能带来“更温暖、更自然”的音色，因此在高端Hi-Fi设备改装中仍有零星使用。此外，在电子工程教育中，2N1910也被用作讲解半导体发展历程、比较锗与硅材料差异的教学工具。

AC128
　　2N1899
　　OC44