2N1675A是一款NPN型高频双极性晶体管(BJT),主要用于射频(RF)和高频放大器应用。这款晶体管设计用于在高频条件下提供良好的性能,具备较高的增益带宽积和较低的噪声特性,因此常用于通信设备、射频接收器和信号放大器等场景。该器件通常采用金属封装,以提供更好的热稳定性和屏蔽性能,确保在高频应用中的可靠性。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):25V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
频率范围:最高可达100MHz
电流增益(hFE):50-300(根据工作电流不同)
噪声系数:约2.5dB
封装形式:TO-18(金属圆壳封装)
2N1675A具备优异的高频响应能力,能够在高达100MHz的频率范围内稳定工作,适用于射频和中频放大电路。
该晶体管具有低噪声系数,通常在2.5dB左右,使其非常适合用于前级信号放大,尤其是在射频接收系统中。
其电流增益(hFE)范围较宽,从50到300不等,具体取决于工作电流和偏置条件,这使得它在多种放大器配置中具有良好的灵活性。
该器件采用TO-18金属封装,不仅提高了散热性能,还增强了对电磁干扰的屏蔽能力,有助于提高电路的稳定性和抗干扰能力。
2N1675A的功耗控制在300mW以内,适合低功耗、高性能的电子设备应用,如便携式通信设备和小型放大器模块。
此外,该晶体管的集电极-发射极电压额定值为25V,集电极-基极电压为30V,能够在中等电压环境下稳定运行,适用于多种电子系统。
2N1675A广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路中,尤其是在无线通信系统、广播接收器和测试设备中用于信号放大。
该晶体管常用于前级低噪声放大器(LNA)设计,以提升接收信号的灵敏度和质量。
在业余无线电设备和对讲机系统中,2N1675A可用于射频功率放大和信号处理电路。
该器件也适用于振荡器和混频器等高频电路设计,为系统提供稳定的信号源或频率转换功能。
此外,它还可用于音频放大器的前置放大级,特别是在对高频响应有一定要求的高端音频设备中。
在工业控制和测量仪器中,2N1675A可用于信号调理和处理电路,以确保高频信号的准确放大和传输。
2N3904, BF199, 2N2222, BC547