晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：25V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率范围：最高可达100MHz
　　电流增益（hFE）：50-300（根据工作电流不同）
　　噪声系数：约2.5dB
　　封装形式：TO-18（金属圆壳封装）

2N1675A具备优异的高频响应能力，能够在高达100MHz的频率范围内稳定工作，适用于射频和中频放大电路。
　　该晶体管具有低噪声系数，通常在2.5dB左右，使其非常适合用于前级信号放大，尤其是在射频接收系统中。
　　其电流增益（hFE）范围较宽，从50到300不等，具体取决于工作电流和偏置条件，这使得它在多种放大器配置中具有良好的灵活性。
　　该器件采用TO-18金属封装，不仅提高了散热性能，还增强了对电磁干扰的屏蔽能力，有助于提高电路的稳定性和抗干扰能力。
　　2N1675A的功耗控制在300mW以内，适合低功耗、高性能的电子设备应用，如便携式通信设备和小型放大器模块。
　　此外，该晶体管的集电极-发射极电压额定值为25V，集电极-基极电压为30V，能够在中等电压环境下稳定运行，适用于多种电子系统。

2N1675A广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中，尤其是在无线通信系统、广播接收器和测试设备中用于信号放大。
　　该晶体管常用于前级低噪声放大器（LNA）设计，以提升接收信号的灵敏度和质量。
　　在业余无线电设备和对讲机系统中，2N1675A可用于射频功率放大和信号处理电路。
　　该器件也适用于振荡器和混频器等高频电路设计，为系统提供稳定的信号源或频率转换功能。
　　此外，它还可用于音频放大器的前置放大级，特别是在对高频响应有一定要求的高端音频设备中。
　　在工业控制和测量仪器中，2N1675A可用于信号调理和处理电路，以确保高频信号的准确放大和传输。

2N3904, BF199, 2N2222, BC547