时间：2025/9/2 11:56:14
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2N123A 是一款经典的 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于模拟电子电路中。它具有良好的低噪声性能和高输入阻抗，适用于前置放大器、模拟开关、信号处理以及低功耗设计等多种场合。这款晶体管采用 TO-18 金属封装，具备良好的稳定性和可靠性。
类型：N沟道JFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：-25V
漏极电流（ID）：最大10mA
耗散功率（PD）：100mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-18
2N123A 以其高输入阻抗和低噪声特性著称，非常适合用于高精度模拟信号放大电路。该器件的栅极控制灵敏度较高，使得其在微弱信号处理中表现出色。此外，其金属封装不仅提高了散热性能，还增强了机械稳定性和抗干扰能力。在设计中，2N123A 还具有较好的线性度，适用于音频放大、电压控制开关以及模拟乘法器等电路应用。
该晶体管的阈值电压较低，能够实现更精细的电流控制，适用于低功耗、低电压系统。由于其结构简单、性能稳定，2N123A 在工业控制、测试仪器、通信设备以及音频处理设备中均有广泛应用。
2N123A 主要用于需要高输入阻抗和低噪声性能的模拟电路设计中。例如，在前置放大器中，它可以有效提升信号的信噪比；在模拟开关电路中，它能够实现快速、低功耗的信号切换；在电压控制电路中，可用于构建线性可变增益放大器。此外，它还广泛应用于音频设备、测量仪器、传感器接口电路以及模拟滤波器等场景。
2N5457, J111, BF245C
