2MI50F-050A 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET 模块,属于双路 MOSFET 集成模块,常用于需要高电流和高电压能力的电源转换和电机控制应用。该模块集成了两个独立的 MOSFET 管,通常采用共源极结构,适用于并联操作以增强电流承载能力。
类型:功率MOSFET模块
漏源电压(Vds):500V
漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):典型值约0.12Ω(具体取决于温度和驱动条件)
封装类型:双列直插式封装(DIP)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
栅极电压(Vgs):±20V
最大功耗(Pd):300W(取决于散热条件)
2MI50F-050A 具备高电压和高电流的处理能力,能够在苛刻的电气环境中稳定运行。模块设计采用了高效的散热结构,有助于在高功率操作下保持较低的结温,从而提高可靠性和使用寿命。每个MOSFET的导通电阻较低,减少了导通损耗,使其在高频开关应用中表现优异。此外,模块的双MOSFET结构允许用户根据需要配置为并联或独立使用,提高了设计的灵活性。该器件还具备良好的热稳定性,能够防止热失控,确保在重载条件下也能安全运行。
其封装形式便于安装和散热管理,适用于各种工业电源、电机驱动器、逆变器以及直流-直流转换器等应用。模块还具有较强的抗干扰能力,适用于电磁环境复杂的工业现场。2MI50F-050A 的设计还考虑了长期工作的可靠性,符合多种工业标准,适合在恶劣环境下使用。
2MI50F-050A 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动、逆变器系统、高频开关电源、电池充电器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及各种类型的功率调节设备。该模块的高电流和高电压能力使其特别适合用于需要大功率输出的场合,如电动工具、工业自动化设备以及大功率LED照明系统等。
此外,该模块也可用于电动汽车的辅助电源系统、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分,以及智能电网设备中的能量转换环节。由于其良好的热稳定性和高可靠性,2MI50F-050A 也广泛应用于需要长时间连续运行的工业控制设备中。
IXFN50N50, IRFP460A, STP55NF06, FDPF50N50