2MI100F-050A 是一款由 STMicroelectronics 生产的 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,适用于高功率电子应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,使其在高电压和高电流应用中表现优异。该模块的额定电流为100A,额定电压为600V,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):600V
集电极电流(Ic):100A
工作温度范围:-40°C 至 150°C
封装类型:模块封装
短路耐受能力:有
栅极驱动电压:15V
导通压降:约2.1V
短路电流能力:典型值为300A
最大功耗:约300W
安装类型:螺钉安装
2MI100F-050A 拥有优异的电气性能和热管理能力,能够在高电流和高电压条件下稳定运行。该模块采用先进的IGBT芯片技术,具有较低的导通损耗和开关损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,其坚固的封装设计提供了良好的机械稳定性和热稳定性,使其适用于恶劣的工作环境。
该器件的栅极驱动设计简单,能够与标准的驱动电路兼容,便于系统集成。其短路耐受能力使得在异常工况下也能保证系统的稳定性和安全性。2MI100F-050A 还具有较高的抗过载能力,能够在短时间内承受超过额定值的电流而不损坏。
2MI100F-050A 广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子设备中,如工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电机驱动器以及不间断电源(UPS)等。在这些应用中,该模块能够提供高效的电力转换和控制,确保系统的稳定运行。
SKM100GB12T4, FF100R12KS4P5_B11