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2MBI100P-140 发布时间 时间:2025/8/9 7:45:55 查看 阅读:29

2MBI100P-140是一种双列直插式(Dual In-line Package, DIP)封装的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)模块,由富士电机(Fuji Electric)生产。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和BJT(双极型晶体管)的低导通压降优势,适用于中高功率应用。该模块内部通常集成一个IGBT芯片和一个反向并联的快速恢复二极管,以支持高频率开关操作和反向电流回路。

参数

最大集电极-发射极电压(VCES):1400V
  最大集电极电流(IC):100A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  短路耐受能力:典型值600V/100A,10μs
  栅极驱动电压范围:±20V
  导通压降(VCE_sat):约2.8V(典型值,IC=100A时)
  热阻(Rth):模块结到壳热阻约0.37°C/W
  封装类型:双列直插式(DIP)

特性

2MBI100P-140具备高电压和高电流能力,适用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、逆变器和电焊设备等中高功率场合。其设计确保了在高频开关应用中具备较低的开关损耗和导通损耗,从而提高系统效率并减少散热需求。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,增强了在异常工况下的可靠性。采用DIP封装方式,便于安装和维护,同时提供了良好的散热性能。内置的快速恢复二极管可以有效减少反向恢复损耗,提升整体系统的稳定性。
  该模块还具有良好的绝缘性能,符合IEC 60146标准,确保在高压环境下安全运行。其封装结构和内部设计优化了电磁干扰(EMI)性能,降低了对周边电路的影响。此外,2MBI100P-140在制造过程中采用了高质量的硅芯片和封装材料,保证了其长期工作的稳定性和可靠性。

应用

该IGBT模块广泛应用于多种电力电子系统中,包括交流电机驱动器、直流-交流逆变器、电焊电源、UPS系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及工业自动化控制设备。由于其高耐压能力和较大的额定电流,特别适合需要高效率、高可靠性和高集成度的功率转换应用。例如,在变频器中,2MBI100P-140可用于构建三相逆变桥,将直流电源转换为可控的交流输出以驱动电机。在UPS系统中,该模块可用于实现高效的能量转换和稳定的电力输出。此外,它也常用于高频感应加热、电能质量调节装置等场合。

替代型号

FGA100N140D, SKM100GB148D

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