时间：2025/7/30 16:55:59
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2GM51-73是一种高频晶体管，通常用于射频（RF）和微波放大器应用。该晶体管设计用于高增益和低噪声性能，适用于通信系统、雷达设备以及测试仪器中的关键放大器部分。该器件采用硅双极型晶体管结构，具有优良的高频特性和稳定性。
类型：双极型晶体管（BJT）
晶体管类型：NPN
最大工作频率：1.2 GHz
最大集电极电流：150 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大功率耗散：300 mW
噪声系数：1.5 dB（典型值）
电流增益带宽积：1.2 GHz
封装类型：TO-52
2GM51-73是一款专为高频应用设计的低噪声晶体管。其主要特性包括低噪声系数、高增益和优异的高频响应。该晶体管能够在1.2 GHz频率范围内保持稳定的性能，非常适合用于射频前端放大器和中频放大器电路。此外，2GM51-73具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在复杂电磁环境下长期工作。该器件的TO-52封装形式有助于有效散热，同时便于安装在射频电路板上。
该晶体管的低噪声系数（典型值1.5 dB）使其在需要高灵敏度的接收机前端电路中表现出色。此外，其高电流增益带宽积（1.2 GHz）确保在高频应用中保持良好的放大性能。2GM51-73的结构设计优化了其线性度和稳定性，使其能够在较宽的温度范围内可靠运行，适用于各种工业和通信设备。
2GM51-73主要用于射频和微波放大器电路，包括通信设备的接收机前端、雷达系统的信号放大器、测试仪器中的高频信号处理模块等。此外，该晶体管也可用于高增益中频放大器和低噪声放大器（LNA）设计。其优异的高频性能和可靠性使其成为许多专业电子设备中不可或缺的组件。
2N5109, BFQ59, BFG25A
