类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：200mA（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约3Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92（可能有其他等效封装）

2G910 MOSFET具有多项显著的性能优势。首先，其N沟道结构提供了良好的导电性能，使得在低电压应用中能够实现高效的功率控制。其次，2G910具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极阈值电压范围适中（1V ~ 2.5V），使其易于与标准逻辑电平（如3.3V或5V）配合使用，从而简化了驱动电路的设计。
　　该器件的封装形式为TO-92，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合在紧凑的PCB布局中使用。同时，2G910具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC降压或升压转换器、LED驱动器等。其最大漏极电流为200mA，适用于中小功率的负载控制，如继电器驱动、小型电机控制和LED背光调节等。
　　在可靠性方面，2G910具有较高的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于多种工业环境。其最大功耗为300mW，设计时需注意散热条件，以确保长期稳定运行。

2G910 MOSFET主要应用于以下领域：开关电源中的低侧开关、DC-DC转换器中的功率开关、小型电机驱动电路、LED照明控制、继电器或电磁阀的驱动电路、电池管理系统中的负载开关等。此外，该器件也常用于嵌入式系统中的电源管理模块，用于控制外围设备的供电状态，实现节能和高效管理。

2N7000, 2N7002, BSS138