2FI50A-030 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于 N 沟道增强型晶体管。该器件设计用于高功率开关应用,如电源管理、电机控制、电池充电系统以及 DC-DC 转换器等。其封装形式为 TO-220,具备良好的散热性能,适用于需要高效率和高可靠性的场合。2FI50A-030 在设计上优化了导通电阻和开关损耗,能够在高电流和高电压环境下稳定工作。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):约 0.025Ω(典型值)
功耗(Ptot):160W
封装:TO-220
2FI50A-030 MOSFET 具备多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。这对于高电流应用(如电源模块和电机驱动器)尤为重要。其次,该器件具有较高的最大工作电流能力,支持高达 50A 的连续漏极电流,适用于大功率负载的控制。此外,2FI50A-030 采用了先进的封装技术,TO-220 封装不仅提供了良好的热管理性能,还具备较高的机械强度,适用于工业环境下的长期稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的 10V 至 20V 驱动电压,便于与各种控制电路配合使用。此外,该器件的短路耐受能力和过热保护性能也较强,增强了系统的可靠性和安全性。对于需要高可靠性和高效率的开关电源、逆变器和电池管理系统等应用,2FI50A-030 是一个理想的解决方案。
2FI50A-030 MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池充电器、逆变器、工业自动化设备、LED 照明驱动器以及电动车电源管理系统等。在这些应用中,2FI50A-030 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热性能,能够有效提升系统效率并降低整体功耗。例如,在开关电源中,它用于主开关或同步整流器,以提高转换效率;在电动工具或电动车的电机控制中,它作为功率开关,实现高效能的调速控制;在电池管理系统中,它可用于充放电控制,确保电池安全高效运行。
IRF3710, STP55NF03, FDP5030, IRLB8721