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2EZ150D5 发布时间 时间:2025/5/12 13:18:00 查看 阅读:7

2EZ150D5是一种双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要应用于高频和高功率场景。该型号晶体管属于NPN型结构,适用于射频放大、开关控制以及其他需要高增益和低噪声特性的电子电路中。其设计优化了高频性能,在通信设备、雷达系统及高性能音频设备中表现优异。
  2EZ150D5具有较高的电流增益带宽积(fT)以及较低的噪声系数,这使其成为高频应用中的理想选择。同时,它在高温环境下的稳定性也较为出色,能够适应苛刻的工作条件。

参数

集电极-发射极击穿电压:30V
  集电极最大连续电流:2A
  功率耗散:20W
  特征频率(fT):4GHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  直流电流增益(hFE):100
  封装类型:TO-39

特性

2EZ150D5以其高频性能和热稳定性著称,适合用于要求严苛的应用场合。以下是其主要特性:
  1. 高特征频率(fT),能够支持高达4GHz的工作频率,满足射频和微波应用需求。
  2. 具备良好的电流增益特性,典型值为100,可确保高效的信号放大。
  3. 工作温度范围广,从-55℃到+175℃,适应极端环境条件。
  4. 封装形式紧凑(TO-39),便于集成到小型化电路中。
  5. 较高的集电极-发射极击穿电压(30V)和功率耗散能力(20W),保证了器件的可靠性和耐用性。
  6. 低噪声系数,非常适合对信噪比有较高要求的通信和音频设备。

应用

2EZ150D5广泛应用于以下领域:
  1. 射频放大器:由于其高频特性和低噪声性能,该晶体管是射频信号放大的理想选择。
  2. 高速开关电路:能够快速切换状态,适用于脉冲宽度调制(PWM)等应用。
  3. 通信设备:包括基站、卫星通信和无线收发模块等,以实现高效的数据传输。
  4. 音频设备:如高保真音响系统中的前置放大器,提供清晰的声音输出。
  5. 工业控制:例如电源管理、电机驱动等领域,利用其高功率处理能力。
  6. 医疗设备:如超声波成像装置中的信号处理部分,需要稳定且精确的操作。

替代型号

2SC3893, MRF154, BFP740

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2EZ150D5参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)150V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 114V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大2W
  • 阻抗(最大)(Zzt)575 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装DO-41(DO-204AL)
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称2EZ150D5DO412EZ150D5DO41MSTR2EZ150D5DO41MSTR-ND2EZ150D5MSTR2EZ150D5MSTR-ND