时间：2024/3/27 15:29:26
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2ED2182S06FXUMA1是一种半桥式高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术，在VS引脚(VCC=15V)的瞬态电压下，具有优异的坚固性和抗噪性，能够在负电压高达-11VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET,SiCMOSFET或IGBT，其工作电压可达650v。
工作电压(VS节点)高达+650V
VS负瞬态抗扰100V
集成超快、低电阻自举二极管,减少了物料清单成本
浮动通道，用于自举操作
集成直通保护，内置死区时间(400ns)
最大电源电压：25V
两个通道均具有独立的欠压锁定(UVLO)
传播延时：200ns
HIN,LIN输入逻辑
VS引脚的逻辑操作高达–11V
输入负电压容差：–5V
浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiCMOSFET或IGBT
电动工具
电机控制和驱动
电源
家用电器
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌） |
| 封装 | PG-DSO-8-69 | 包装 | 圆盘 |
| 电压-供电 | 10V~20V | 工作温度 | -40°C~125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | 2ED2182 |
| HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 同步 | 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL，VIH | 1.1V，1.7V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 2.5A，2.5A | 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 15ns，15ns | 高压侧电压-最大值（自举） | 650V |
| 产品应用 | 汽车级 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168小时） |
| ECCN | EAR99 |
2ED2182S06FXUMA1原理图
2ED2182S06FXUMA1引脚图
2ED2182S06FXUMA1封装
