工作电压范围：10 V 至 20 V
　　输出驱动电流：高端和低端均为 1.4 A（峰值）
　　传播延迟时间：典型值 80 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　隔离耐压：1200 V（符合增强型隔离标准）
　　输入信号兼容：3.3 V / 5 V
　　输出通道：双通道，独立控制
　　欠压保护（UVLO）：集成
　　封装类型：PG-DSO-16（表面贴装）

2ED1322S12M 是一款基于英飞凌的磁耦隔离技术设计的高性能栅极驱动器芯片，具备双通道独立驱动能力，适用于高端和低端功率开关的驱动控制。该芯片支持高侧和低侧配置，可提供高达1.4A的峰值输出电流，确保功率器件快速开关，降低开关损耗。
　　其内部集成了欠压保护功能（UVLO），当电源电压低于安全阈值时，自动关闭输出，防止功率器件工作在非安全状态。该芯片的传播延迟时间非常短，典型值为80 ns，确保了高速开关操作的精确性，适用于高频开关应用。
　　采用增强型磁耦隔离技术，2ED1322S12M 提供高达1200V的隔离耐压能力，满足工业级和汽车级的高可靠性要求。该芯片的工作温度范围宽达-40°C至+150°C，适应各种恶劣工作环境。
　　此外，该器件的输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平，便于与各种控制器（如MCU、DSP等）连接，提高了系统的集成度和灵活性。其PG-DSO-16封装形式支持表面贴装工艺，有助于提高PCB布局的紧凑性和生产效率。

2ED1322S12M 主要用于需要高性能栅极驱动的功率电子系统中，包括工业电机驱动、伺服控制器、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车电驱系统以及车载充电系统等。其高集成度和高隔离性能使其成为高功率密度和高可靠性设计的理想选择。

2ED1324S12M, 2ED1322S02M, 1ED1322S12M