2DI50D-055A 时间：2025/8/9 15:57:34 阅读：40

2DI50D-055A 是一款由 STMicroelectronics 生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的技术制造，适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：MOSFET
　　通道类型：N 沟道
　　漏极电流（ID）：50A
　　漏极-源极电压（VDS）：55V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.018Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：160W

特性

2DI50D-055A MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力（55V）使其适用于多种中高功率应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制和电池充电系统。
　　此外，该 MOSFET 具有出色的热管理性能，能够在高电流负载下保持稳定运行。其 TO-220 封装提供了良好的散热能力，并且易于安装在标准的散热器上。器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频率开关应用，从而减少开关损耗并提高整体性能。由于其双路设计，该器件能够同时驱动两个独立电路，适用于需要并联工作的应用场合。

应用

2DI50D-055A MOSFET 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理：适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源管理系统。
　　2. 电机控制：用于直流电机驱动器、步进电机控制器和电动工具。
　　3. 电池管理系统：适用于高功率电池充电器和放电保护电路。
　　4. 工业自动化：用于可编程逻辑控制器（PLC）和工业电源模块。
　　5. 消费电子产品：用于高性能笔记本电脑电源适配器、智能电源插座和大功率 USB 充电设备。