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2DI50D-055A 发布时间 时间:2025/8/9 15:57:34 查看 阅读:21

2DI50D-055A 是一款由 STMicroelectronics 生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的技术制造,适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型:MOSFET
  通道类型:N 沟道
  漏极电流(ID):50A
  漏极-源极电压(VDS):55V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大 0.018Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(PD):160W

特性

2DI50D-055A MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力(55V)使其适用于多种中高功率应用,例如 DC-DC 转换器、电机控制和电池充电系统。
  此外,该 MOSFET 具有出色的热管理性能,能够在高电流负载下保持稳定运行。其 TO-220 封装提供了良好的散热能力,并且易于安装在标准的散热器上。器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路设计。
  该 MOSFET 还具有快速开关特性,适用于高频率开关应用,从而减少开关损耗并提高整体性能。由于其双路设计,该器件能够同时驱动两个独立电路,适用于需要并联工作的应用场合。

应用

2DI50D-055A MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 电源管理:适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源管理系统。
  2. 电机控制:用于直流电机驱动器、步进电机控制器和电动工具。
  3. 电池管理系统:适用于高功率电池充电器和放电保护电路。
  4. 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)和工业电源模块。
  5. 消费电子产品:用于高性能笔记本电脑电源适配器、智能电源插座和大功率 USB 充电设备。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06, STP55NF06, IRLZ44N

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