2DI50D-055A 是一款由 STMicroelectronics 生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的技术制造,适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:MOSFET
通道类型:N 沟道
漏极电流(ID):50A
漏极-源极电压(VDS):55V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大 0.018Ω
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
功率耗散(PD):160W
2DI50D-055A MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力(55V)使其适用于多种中高功率应用,例如 DC-DC 转换器、电机控制和电池充电系统。
此外,该 MOSFET 具有出色的热管理性能,能够在高电流负载下保持稳定运行。其 TO-220 封装提供了良好的散热能力,并且易于安装在标准的散热器上。器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路设计。
该 MOSFET 还具有快速开关特性,适用于高频率开关应用,从而减少开关损耗并提高整体性能。由于其双路设计,该器件能够同时驱动两个独立电路,适用于需要并联工作的应用场合。
2DI50D-055A MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 电源管理:适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源管理系统。
2. 电机控制:用于直流电机驱动器、步进电机控制器和电动工具。
3. 电池管理系统:适用于高功率电池充电器和放电保护电路。
4. 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)和工业电源模块。
5. 消费电子产品:用于高性能笔记本电脑电源适配器、智能电源插座和大功率 USB 充电设备。
IRFZ44N, FDP55N06, STP55NF06, IRLZ44N