2DI50B-1K 时间：2025/8/8 21:06:22 阅读：26

2DI50B-1K是一款由STMicroelectronics生产的双路N沟道增强型功率MOSFET，封装为DFN5x6，适用于高效功率开关应用。该器件具备低导通电阻和高电流承载能力，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。其双路设计允许在单个封装内实现两个独立的功率开关，从而节省PCB空间并提高系统集成度。

参数

类型：功率MOSFET
　　通道数：2
　　晶体管类型：N沟道增强型
　　漏极-源极电压（Vds）：50V
　　连续漏极电流（Id）：50A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.0mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：50nC（每个通道）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN5x6
　　安装类型：表面贴装

特性

2DI50B-1K具有多项优异特性，使其适用于高性能功率转换系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高电流承载能力，每个通道可支持高达50A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其双路MOSFET结构允许在单一封装内实现双路独立开关，适用于多相电源、同步整流和负载共享应用。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提升整体系统性能。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）确保在极端环境下的稳定运行，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。

应用

2DI50B-1K广泛应用于各种功率电子系统，包括服务器电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。其双路MOSFET设计使其特别适合多相电源拓扑，如VRM（电压调节模块）和POL（负载点）转换器。此外，它还可用于同步整流电路以提高效率，或作为高侧/低侧开关在H桥驱动器中使用。由于其出色的热性能和电流能力，该器件也适用于高功率LED驱动器和电源适配器设计。