2DI50A-060 时间：2025/8/9 0:52:58 阅读：19

2DI50A-060 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高效能双绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于高功率电子系统。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极晶体管的低导通压降特性，非常适合用于逆变器、电机控制、UPS系统以及可再生能源应用等高功率场景。该型号采用了先进的沟槽栅和场截止技术，以提升整体效率和性能。

参数

类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　额定集电极电流（Ic）：50A
　　工作温度范围：-40°C至150°C
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　导通压降（Vce_sat）：约1.75V（在Ic=50A时）
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　热阻（Rth）：典型值为1.0°C/W
　　最大功耗：200W

特性

2DI50A-060 的主要特性之一是其高效的功率处理能力，能够在高电流条件下保持稳定的性能。该器件采用了先进的沟槽栅和场截止技术，有效降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体效率。此外，该IGBT模块具有优异的短路耐受能力，可以在异常工况下提供额外的安全保障。其双绝缘栅结构不仅提高了器件的稳定性和可靠性，还增强了抗干扰能力。2DI50A-060 的热阻较低，能够在高功率密度应用中实现良好的散热性能。该模块还具有宽泛的工作温度范围，能够在极端环境下正常工作，适用于工业级和汽车级应用。此外，该器件的封装设计优化了电气绝缘性能，提高了使用安全性。