2DI100L-120 时间：2025/8/9 8:42:13 阅读：20

2DI100L-120 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率半导体器件，属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块类别。它被设计用于高电压和高电流的应用场景，具备高效能、低导通压降和优异的热性能。该模块集成了两个IGBT单元，常用于工业电机驱动、电力转换系统、逆变器和不间断电源（UPS）等设备中。

参数

类型：IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）：100A
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　导通压降（VCEsat）：典型值为2.1V（在IC=100A时）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：有
　　隔离电压：2500Vrms（模块与散热器之间）
　　最大工作频率：可达20kHz
　　热阻（Rth）：模块内部热阻较低，确保良好的散热性能

特性

2DI100L-120 IGBT模块具备多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高电压和大电流承载能力（1200V/100A）使其能够适用于多种高压电力电子设备。其次，低导通压降（VCEsat）有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。此外，该模块采用了先进的封装技术，提供良好的绝缘性能和机械稳定性，确保在高电压和高温环境下稳定运行。
　　该模块还具备优异的短路耐受能力，能够在短时间承受过载电流，提高了系统的可靠性和安全性。其低热阻设计和宽工作温度范围（-40°C至+150°C）进一步增强了模块的热管理能力，适用于苛刻的工作环境。此外，2DI100L-120支持高达20kHz的开关频率，使其适用于高频逆变和变频器应用，满足现代工业对高效能和紧凑型设计的需求。
　　模块内部集成了两个IGBT单元，通常配置为半桥结构，便于在H桥、DC-AC逆变器等电路中使用。这种结构简化了电路设计并减少了外部元件数量，提高了系统的集成度和可靠性。

应用

2DI100L-120广泛应用于各种工业和电力电子系统中。常见用途包括工业电机驱动（如伺服驱动器和变频器）、逆变器系统（如太阳能逆变器和UPS不间断电源）、电焊机、感应加热设备以及电动车辆的功率控制系统。由于其高耐压、大电流和高频特性，该模块也适用于需要快速开关和高效率的电力转换场合。此外，2DI100L-120还适用于需要高可靠性和长寿命的自动化设备、电梯控制系统和工业机器人等应用领域。