时间：2025/8/8 19:09:59
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2DI100B-90 ET1265M 是一种功率半导体器件的组合，通常用于电力电子应用中。2DI100B-90 是一种二极管模块，而 ET1265M 则是一种绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片或模块，常用于逆变器、变频器和电机驱动等高功率设备。
2DI100B-90：
- 额定电流：100A
- 反向电压：900V
- 封装形式：双列直插式（DIP）
- 正向压降：约1.1V
- 工作温度范围：-40°C 至 +150°C
ET1265M：
- 类型：IGBT
- 集电极-发射极电压：600V
- 集电极电流：15A
- 阈值电压：约4.5V
- 封装类型：TO-247
- 短路耐受能力：具备
2DI100B-90 是一款高耐压和高电流能力的二极管模块，具有良好的热稳定性和可靠性。它适用于高功率密度应用，例如电源转换器和工业电机控制。其封装形式确保了良好的散热性能，同时简化了安装和维护。该模块在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，适用于恶劣的工业环境。
ET1265M 是一种高性能 IGBT 器件，结合了高电压阻断能力和高电流导通能力。它具有较低的导通压降和开关损耗，因此在高频开关应用中表现出色。此外，该器件具备过载和短路保护功能，提高了系统的可靠性和稳定性。其 TO-247 封装提供了良好的散热能力和电气隔离，适用于高功率应用。
这些器件通常用于电力电子系统中，例如变频器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业自动化设备。2DI100B-90 用于整流和电源转换，而 ET1265M 则用于高频开关和功率调节。
2DI100B-90 的替代型号包括 2DI100B-100 和 DSEP100-09A。ET1265M 的替代型号包括 IRGP4063D1PBF 和 FGA25N60SMD-F155。
