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2DD1766Q-13 发布时间 时间:2025/12/26 12:41:55 查看 阅读:17

2DD1766Q-13是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管阵列器件。该器件集成了两个独立的NPN晶体管,封装在小型SOT-363(SC-88)封装中,适用于空间受限的便携式电子设备。该晶体管设计用于通用信号放大和开关应用,具备良好的增益性能和快速开关响应能力,适合高频和低功耗电路使用。其额定最大集电极-发射极电压(VCEO)为50V,集电极电流可达100mA,适用于中等电压和电流的模拟与数字电路。由于其小尺寸和高集成度,2DD1766Q-13广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块和逻辑接口电路中。器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。

参数

类型:NPN双晶体管阵列
  封装:SOT-363 (SC-88)
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  总功耗(PD):250mW
  直流电流增益(hFE):100 ~ 400
  过渡频率(fT):200MHz
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃

特性

2DD1766Q-13的两个NPN晶体管具有高度匹配的电气特性,确保在差分放大器或推挽输出电路中的一致性表现。每个晶体管的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下可达到100至400之间,表现出优异的电流放大能力,适用于小信号处理和低噪声前置放大电路。其过渡频率高达200MHz,使得该器件能够在高频开关和射频信号处理应用中保持良好的响应速度和带宽性能。此外,该晶体管的饱和压降低(VCE(sat))通常小于0.25V(在IC = 10mA时),有助于减少导通损耗,提高系统能效。
  该器件采用SOT-363六引脚微型封装,尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm,极大节省了PCB布局空间,特别适合高密度贴装的便携式设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线传感器节点。封装结构具有良好的热传导性能,在正常工作条件下无需额外散热措施即可稳定运行。器件的电气隔离设计保证了两个晶体管之间的低串扰,适用于需要独立控制通道的应用场景。此外,2DD1766Q-13经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)和温度循环试验,确保在严苛环境下的长期稳定性。
  该晶体管支持表面贴装工艺,兼容自动化贴片生产线,提升制造效率。其引脚配置符合行业标准,便于与其他SOT-363封装器件互换设计。器件符合AEC-Q101车规级认证的部分要求(视具体批次而定),可用于部分车载电子系统中的信号调理和驱动电路。此外,产品不含卤素,满足IEC 61249-2-21环保标准,适用于对环保要求较高的工业和医疗设备应用。

应用

2DD1766Q-13广泛应用于各类需要小型化、低功耗和高性能晶体管的电子系统中。常见用途包括音频信号前置放大器、逻辑电平转换电路、LED驱动器、继电器或MOSFET栅极驱动缓冲器、无线通信模块中的射频开关控制以及传感器信号调理电路。在便携式设备中,它常被用于电池供电系统的电源切换和负载控制,利用其低静态电流和快速响应特性实现节能设计。此外,在微控制器单元(MCU)与外围设备之间的接口电路中,该器件可作为电平移位或电流增强元件,提升驱动能力。在消费类电子产品如智能手表、TWS耳机、智能家居控制器中,2DD1766Q-13因其小尺寸和高可靠性成为理想的开关与放大解决方案。同时,也可用于工业控制板、数据采集系统和嵌入式通信模块中的信号隔离与驱动功能。

替代型号

[
   "MMBT3904DW,115",
   "FMMT618",
   "BC847BS,115",
   "MAX44206EUD+",
   "DMG2302UK-7"
  ]

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2DD1766Q-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)800mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换220MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)