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2DA1213O-13 发布时间 时间:2025/12/26 10:22:32 查看 阅读:9

2DA1213O-13是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,集成了两个独立的NPN型晶体管。该器件采用SOT-26封装,是一种小型表面贴装封装,适用于高密度印刷电路板设计。由于其紧凑的尺寸和良好的电气性能,2DA1213O-13广泛应用于便携式电子设备、通信系统、电源管理模块以及信号放大与开关控制电路中。该器件的设计注重低功耗与高效率,在中等电流和电压条件下表现出优异的开关速度和增益稳定性。作为通用型双晶体管阵列,它适合用于替代分立晶体管方案以节省PCB空间并提高组装效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且对环境友好,适用于现代绿色电子产品制造流程。其命名中的‘O’通常表示特定的引脚配置或产品系列标识,而‘-13’则代表卷带包装形式,便于自动化贴片生产使用。

参数

类型:NPN双晶体管阵列
  封装:SOT-26
  集电极-发射极击穿电压 (VCEO):50V
  集电极-基极击穿电压 (VCBO):70V
  发射极-基极击穿电压 (VEBO):6V
  连续集电极电流 (IC):100mA
  峰值集电极电流 (ICM):200mA
  直流电流增益 (hFE):100 ~ 400(典型值)
  过渡频率 (fT):200MHz
  最大功耗 (Ptot):300mW
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

2DA1213O-13所集成的两个NPN晶体管具有高度匹配的电气特性,这使其在差分放大器、推挽输出级和电流镜等需要对称性能的应用中表现尤为出色。每个晶体管均可独立操作,互不影响,提供了极大的设计灵活性。其高达200MHz的过渡频率确保了在高频信号处理场景下的良好响应能力,支持快速开关动作,适用于中频放大及数字逻辑驱动场合。器件的直流电流增益范围宽广(100~400),保证了在不同负载条件下的稳定放大效果,同时降低了因批次差异带来的设计风险。SOT-26封装不仅体积小巧,还具备优良的热传导性能,能够在有限的空间内有效散热,提升系统长期运行的可靠性。该器件的最大集电极电流为100mA,适用于低至中等功率应用,如LED驱动、传感器信号调理、音频前置放大等。其击穿电压等级适中,可在5V、12V或24V系统中安全运行,兼容多种常见电源架构。此外,该器件具备较低的饱和压降(VCE(sat)),有助于减少导通损耗,提高能效。在开关应用中,其较快的上升和下降时间减少了切换过程中的能量损耗,提升了整体系统效率。所有参数均在严格的工业测试条件下验证,确保批量一致性与长期稳定性,适合用于消费类电子、工业控制、汽车电子外围电路等领域。
  该器件的另一个显著优势是其引脚布局优化,便于在PCB布线时实现对称走线,进一步增强了差分应用中的匹配性。由于采用半导体晶圆级工艺制造,内部两个晶体管共享相同的热环境,温度漂移相互补偿,从而提升了模拟电路中的共模抑制比。这种集成化设计相比使用两个独立晶体管还能减少寄生电感和电容,改善高频性能。此外,SOT-26封装与主流回流焊工艺完全兼容,适合大规模自动化生产,降低了制造成本。整体而言,2DA1213O-13是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能双NPN晶体管阵列,特别适用于追求小型化和高集成度的现代电子系统设计需求。

应用

2DA1213O-13广泛应用于各类中小型电子设备中,尤其适合需要空间优化和高效信号处理的场景。在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该器件常用于LCD背光驱动、触摸屏控制器接口电平转换以及音频信号放大等模块。在通信系统中,它可以作为射频前端的小信号放大器或逻辑电平移位器,支持高速数据传输的稳定性。工业控制系统中,该器件可用于光电耦合器驱动、继电器控制电路或传感器信号调理单元,实现可靠的开关与放大功能。在电源管理领域,2DA1213O-13可被用作低压线性稳压器的误差放大器或反馈控制元件,提升调节精度。此外,其双晶体管结构非常适合构建互补输出级、达林顿对管或有源负载电路,广泛用于运算放大器、比较器和振荡器等模拟电路设计。在消费类家电如电视、音响、路由器中,也常见于小功率音频放大、指示灯控制和微处理器I/O扩展等用途。由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性,也可用于汽车电子中的非关键性控制模块,例如车内照明控制、门窗电机驱动缓冲级或CAN总线信号调理电路。总之,凭借其紧凑封装、良好匹配性和多用途特性,2DA1213O-13成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

MMBT2907A-D
  FMMT718TA
  BC847BS

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2DA1213O-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换160MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2DA1213O-13-ND2DA1213ODITR