容量：16 Mbit
　　组织结构：1M x16
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：56-TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行
　　读取电流：10mA（典型值）
　　编程/擦除电流：20mA（典型值）
　　待机电流：10uA（最大值）

29LV160BE-70NC 具有多种关键特性，确保其在多种应用场景中的稳定性和可靠性。
　　首先，该芯片支持低电压工作，电压范围为 2.3V 至 3.6V，降低了功耗并提高了电池供电设备的续航能力。其访问时间为 70ns，具有较高的读取速度，适用于需要快速数据访问的系统。
　　该器件采用 CMOS 技术，具有较低的待机电流，最大值仅为 10uA，非常适合低功耗设计。此外，它支持标准的并行接口，兼容多种微处理器和控制器，便于集成到现有系统中。
　　在数据保持方面，29LV160BE-70NC 支持至少 100,000 次擦写周期，并具有 20 年的数据保持能力，确保长期数据存储的可靠性。芯片内部支持扇区擦除和整片擦除功能，便于灵活的数据管理。
　　该器件还具备自动编程和自动擦除算法，简化了软件控制，并减少了主机处理器的负担。此外，其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种严苛环境条件下的应用。

29LV160BE-70NC 适用于多种嵌入式系统和工业控制应用，包括但不限于：
　　工业控制系统：作为非易失性存储器用于存储固件、配置数据和关键系统参数。
　　通信设备：用于路由器、交换机等设备中，存储启动代码和运行时数据。
　　消费电子产品：如数字电视、机顶盒、打印机等，用于存储操作系统和应用程序。
　　汽车电子：适用于车载导航系统、仪表盘控制单元等车载设备中的程序存储。
　　手持设备：如手持终端、数据采集器等，利用其低功耗和小封装优势，提升设备续航能力和便携性。

S29GL128S10TFR21, M29W160EB-70M1C5, S29AL016J70TFI020