时间：2025/12/28 10:03:03
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29F002TC-90是一款由Intel推出的并行接口闪存存储器芯片，属于Intel 28F系列的衍生产品，常用于早期的计算机BIOS存储、工业控制设备以及嵌入式系统中。该芯片采用成熟的CMOS制造工艺，具备较高的可靠性和耐久性，适用于需要非易失性数据存储的应用场景。29F002TC-90为2 Mbit（即256 KB）容量的Flash Memory，组织方式为262144字节×8位，支持字节级读取与块擦除操作。其命名中的“29F”表示为Flash存储器，“002”代表2 Mbit容量，“TC”通常指封装形式为32引脚TSOP（Thin Small Outline Package）或32引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），而“-90”则表示最大访问时间为90纳秒，适合中低速系统使用。该芯片支持标准的5V供电电压，兼容TTL电平，能够在较宽的温度范围内稳定工作，因此广泛应用于工业级和商业级设备中。尽管随着SPI Flash等新型存储技术的发展，29F002TC-90已逐渐被更小封装、更低功耗的器件取代，但在一些老旧设备维护、BIOS升级或逆向工程领域仍具有重要价值。
型号：29F002TC-90
容量：2 Mbit (256 KByte)
组织结构：262144 × 8
工作电压：5V ± 10%
访问时间：90 ns
封装形式：32-pin PLCC 或 TSOP
接口类型：并行（8位数据总线，18位地址总线）
工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级，依具体版本）
编程电压：内部电荷泵生成所需高压，支持5V单一电源编程
写保护功能：硬件WP引脚支持（部分封装）
擦除方式：扇区擦除（Sector Erase）与整片擦除（Chip Erase）
读取模式：随机读取、页读取
可靠性：典型擦写寿命为10万次，数据保持时间可达100年
29F002TC-90的核心特性之一是其基于ETOX（EPROM Tunnel Oxide）技术的存储单元结构，这种结构通过薄氧化层实现电子隧穿效应，从而完成编程与擦除操作。该技术在保证高可靠性的同时，也提供了良好的数据保持能力。芯片支持多种操作模式，包括读取、编程、扇区擦除和整片擦除，所有操作均可通过标准命令序列写入特定地址来触发，符合Intel Common Flash Interface（CFI）规范的部分要求，便于系统识别和配置。
该器件具备较强的抗干扰能力和稳定性，在上电复位（Power-on Reset）期间会自动进入只读状态，防止误操作导致的数据损坏。此外，29F002TC-90内置了Vpp检测电路，可判断编程电压是否就绪，并在电压不足时禁止写入操作，进一步提升安全性。其90ns的访问速度虽不及现代高速存储器，但对于BIOS加载等对带宽要求不高的应用场景已足够使用。
为了增强系统的灵活性，该芯片支持扇区划分管理，允许用户对不同区域进行独立擦除与编程，典型划分为多个大小不等的扇区（如16 KB主扇区+多个8 KB子扇区），便于实现固件分区更新与保护机制。同时，它还具备软件数据保护功能，可通过特定命令序列启用或禁用写操作，防止因程序异常跑飞而导致的关键数据被覆盖。尽管没有集成ECC（错误校验与纠正）功能，但其高良率制造工艺和成熟的设计使其在实际应用中表现出优异的稳定性。
29F002TC-90主要用于需要非易失性程序存储的场合，最常见的应用是个人计算机和工控机的BIOS固件存储。在上世纪90年代至21世纪初，大量主板采用此类并行Flash芯片存放启动代码，因其容量适中、接口简单、易于烧录而广受欢迎。除了PC BIOS外，该芯片也被广泛应用于各种嵌入式控制系统中，例如数控机床、自动化仪表、通信设备和网络路由器等，用于存储引导程序、配置参数或小型操作系统镜像。
在工业现场，由于其支持较宽的工作温度范围和较强的抗干扰能力，29F002TC-90常被选作关键控制逻辑的存储介质。此外，在设备维修与固件恢复过程中，技术人员经常使用编程器对该芯片进行读取、备份或刷写操作，因此它也成为硬件极客和逆向工程师的重要研究对象。虽然目前主流设计已转向SPI接口的串行Flash（如W25Q系列），但由于大量旧设备仍在运行，29F002TC-90及其兼容型号在备件市场仍有持续需求。
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