品牌：Fujitsu
　　型号：28FKZ-RSM1-2-TB(LF)(SN)
　　存储类型：FRAM（铁电RAM）
　　存储容量：256 Kbit (32KB)
　　组织结构：32K × 8 位
　　接口类型：I2C（双线串行接口）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：28-SOP（Small Outline Package）
　　通信速率：支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz）
　　写入耐久性：超过 10^14 次读/写循环
　　数据保持时间：典型值10年以上（断电状态下）
　　引脚数：28
　　是否无铅：是（LF标识）
　　包装方式：卷带（Tape and Reel，TB标识）

28FKZ-RSM1-2-TB(LF)(SN) 的核心优势在于其采用的铁电存储技术，这种技术利用具有自发极化的铁电材料（如锆钛酸铅 PZT）构成存储单元，通过外加电场改变极化方向来表示逻辑“0”或“1”。与传统EEPROM或Flash不同，FRAM的写入过程无需进行隧道注入或热电子注入，因此没有固有的写入延迟，所有写操作均可立即完成，极大地提高了系统的响应速度和效率。这一特性特别适合用于实时数据记录、传感器日志、工业控制中的状态保存等需要高频写入的场合。
　　另一个显著特点是其卓越的写入耐久性。普通EEPROM通常只能承受约10万到100万次写入，而该FRAM器件可支持高达10^14次读写操作，相当于每天写入1GB数据也能持续使用超过27年而不损坏，从根本上消除了存储器寿命瓶颈问题。同时，FRAM的功耗远低于Flash，在写入时不需要升压电路，从而大幅降低能耗，非常适合电池供电设备如智能仪表、便携式医疗设备和物联网终端。
　　该器件还具备出色的抗辐射和抗磁场干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。I2C接口设计简化了与微控制器的连接，仅需两条信号线（SCL和SDA），并支持多设备挂载在同一总线上，便于系统扩展。内置写保护功能可防止误操作导致的数据丢失。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性，使其成为高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

28FKZ-RSM1-2-TB(LF)(SN) 广泛应用于对数据写入速度、耐久性和可靠性有极高要求的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于实时记录设备运行参数、故障日志和配置信息。由于其无延迟写入特性，即使在突发断电情况下也不会丢失最新数据，保障了系统的数据完整性。
　　在智能电表、水表、燃气表等公用事业计量设备中，该芯片被用来存储累计用量、事件记录和校准数据，确保每次计量都能即时写入且长期保存，满足严格的审计和合规要求。在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪和输液泵中，它用于保存患者治疗记录、设备使用历史和安全日志，确保关键信息不因断电或频繁操作而丢失。
　　汽车电子领域也广泛应用此类FRAM器件，例如在车载黑匣子（EDR）、发动机控制单元（ECU）和胎压监测系统（TPMS）中，用于记录行驶数据、故障码和安全事件。此外，在高端消费类电子产品、POS终端、打印机墨盒识别、无线传感器网络和航空航天电子系统中，该芯片也因其高可靠性而受到青睐。由于支持宽温工作和无铅环保工艺，完全符合现代绿色电子产品的设计趋势。

MB85RC256A-12LTA2U
　　CY15B104QSXI-45SXI
　　FM24V05-G
　　MR45V256A30B